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11.
氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析 总被引:1,自引:1,他引:0
许正 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):297-297
氧碘化学激光器(COIL)的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段,而改进O2(^1△g)的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期,美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2(^1△g)。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应,生成O2(^1△g)。通常气一固相反应有着反应速度慢,接触面积小,反应产物难以脱出固体表面的缺陷,使得产出率低,而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进,借助表面活化分子,特殊性质的表面构造,大表面的构造,都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上,将克服传统方法的诸多不足。 相似文献
12.
13.
混凝土动态劈裂拉伸试验的数值模拟 总被引:4,自引:0,他引:4
采用LS-DYNA有限元编码程序,对混凝土的动态劈裂拉伸试验进行了数值模拟,给出了混凝土试样在不同类型加载情况下应力分布之间的差异,证实了动态劈裂拉伸试验的有效性,提出了改进试验方法的若干结论. 相似文献
14.
15.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
16.
彭述明 《工程物理研究院科技年报》2003,(1):319-323
在气体泄漏监测工作中选择合适的示踪剂是非常重要的。近年来,围绕示踪剂的研究开展了大量的工作,为了寻求现有示踪剂的改进,开展了全氟二甲基环丁烷示踪剂在carboxen-569分子筛上的吸附行为研究,考察了温度和采样速度对示踪剂穿透体积和安全采样体积的影响,确定了大气示踪剂样品的采集工艺参数和热解吸条件,为该示踪剂的应用奠定基础。 相似文献
17.
CaoYun ZhaoHongwei MaLei ZhangZimin 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):154-154
High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2. 相似文献
18.
19.
The one-dimensional super-symmetric ferromagnetic t-J model is studied via the thermal Bethe ansatz.Analytic expressions of the free energy for T→O are obtained.A new critical behaviour beyond the universal class of Luttinger Liquids is found in this system. 相似文献
20.