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81.
A series of complexes formed between halogen-containing molecules and ammonia have been investigated by means of the atoms in molecules (AIM) approach to gain a deeper insight into halogen bonding. The existence of the halogen bond critical points (XBCP) and the values of the electron density (Pb) and Laplacian of electron density (V2pb) at the XBCP reveal the closed-shell interactions in these complexes. Integrated atomic properties such as charge, energy, polarization moment, volume of the halogen bond donor atoms, and the corresponding changes (△) upon complexation have been calculated. The present calculations have demonstrated that the halogen bond represents different AIM properties as compared to the well-documented hydrogen bond. Both the electron density and the Laplacian of electron density at the XBCP have been shown to correlate well with the interaction energy, which indicates that the topological parameters at the XBCP can be treated as a good measure of the halogen bond strength In addition, an excellent linear relationship between the interatomic distance d(X…N) and the logarithm of Pb has been established.  相似文献   
82.
离子对高效液相色谱在无机分析中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文简单回顾了离子对高效液相色谱作为一种先进的分析手段在无机分析领域中的发展历史,并对其特点、保留机理、应用现状和发展前景四个方面作了详细的介绍。  相似文献   
83.
全气相化学激光体系的直流放电研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 为了提高化学激光体系(AGIL)中F原子的产率,采用直流放电引发方式,对棒式电极的放电特性进行了研究。在对NF3/He混合气体进行解离时,通过选择不同平衡电阻,得到了3 kW左右的放电注入功率。用光谱分析仪对F原子产率进行了测量。通过拟合计算可得:一个NF3分子能够解离出1.3~1.5个F原子。  相似文献   
84.
TiN/Al2O3纳米多层膜的共格外延生长及超硬效应   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低.  相似文献   
85.
Novel oxyfluoride glasses are developed with the composition of 30SiO2-15Al2O3-28PbF2-22CdF2-0.1TmF3 - xYbF3 - (4.9 - x) AlF3(x=0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) in tool fraction, Furthermore, the upconversion luminescence characteristics under a 970nm excitation are investigated. Intense blue, red and near infrared luminescences peaked at 453nm, 476nm, 647nm and 789nm, which correspond to the transitions of Tm^3+: ^1D2 →^3F4, ^1G4 →^3H6, ^1G4 →^3F4, and ^3H4 →^3H6, respectively, are observed. Due to the sensitization of Yb^3+ ions, all the upconversion luminescence intensities are enhanced considerably with Yb^3+ concentration increasing. The upconversion mechanisms are discussed based on the energy matching rule and quadratic dependence on excitation power. The results indicate that the dominant mechanism is the excited state absorption for those upconversion emissions.  相似文献   
86.
s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结的直流Josephson电流   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李晓薇  董正超  崔元顺 《物理学报》2002,51(6):1360-1365
在s波超导体绝缘层dx2-y2波超导体结(sId)中,考虑到结界面粗糙散射,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流.结果表明:sId超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 关键词: s/I/d超导结 dx2-y2波超导体 直流Josephson电流  相似文献   
87.
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words.  相似文献   
88.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器  相似文献   
89.
两种蓝色有机电致发光材料   总被引:4,自引:1,他引:3  
重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它稳定性,在这度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料。  相似文献   
90.
安晓强  邱昆  张崇富 《应用光学》2006,27(5):363-368
以一维二次同余码(QCC)作为扩时模式,以光正交码(OOC)和QCC码作为频域跳频模式,通过时域和频域的组合,构造了适用于光码分多址(OCDMA)系统的QCC/QCC和QCC/OOC 2种跳频扩时码,并对码的容量及其相关性进行了分析。与一维QCC码相比,QCC/QCC跳频扩时码的容量扩大了p 1倍(p为码重),相关性得到改善,并且码字异相自相关限λa=1,互相关限λc=2;QCC/OOC跳频扩时码具有更大的码容量和更好的相关性,码字异相自相关限λa=0,所有码字按一定规律可分成p 1组(p为码重),每组内码字的互相关限λa=1,不同组间码字的互相关限λa=2。所得结果为光码分多址系统中跳频扩时码的构造提供了一种新的方法。  相似文献   
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