钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展

检测W（Ⅵ）对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W（Ⅵ）的富集手段，检测方法概况作一综述，其中包括，荧光光谱法，分光光度法，原子发射光谱法，质谱法，动力学方法，极普法，化学发光法，中子活化分析及联用技术等。     

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.     

格点定模SU(2)-Higgs模型的解析计算

对格点上基础表示的定模Higgs场与SU(2)规范场耦合系统的相图进行解析计算至累积展开的第四级,用扫瞄确定变分参数的方法,得到与Monte Carlo模拟很好符合的相图.计算了N_τ=1的有限温度情形下SU(2)-Higgs系统和纯SU(2)模型的Polyakov线,对后者得到迄今最佳的近似解析结果β_c.     

四氢β—咔啉类化合物的~(13)C NMR研究

测定了四对新合成的四氢β-咔啉化合物的~13C NMR谱,通过APT,HETCOR和HETCOLOC谱指认了所有碳的归属.所确定的化学位移规律可以用来确定它们的构型.     

三种胺羧配合物的113Cd NMR研究

该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的¹¹³Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T₁,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对¹¹³Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用.     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

Differential Proteomic Analysis of Neonatal Cardiomyocytes in Response to β-Adrenergic Receptor Stimulation

Introduction Adrenoceptors(ARs),membersofthesuperfami lyofG proteincoupledreceptors,arethemostimpor tantreceptorsinvolvedincardiacregulation[1].ARsin cardiacmuscleincludebothαARsandβARssub types,whileinmostmammalianheart,βARsarethe predominantsubtypes.…     

一个Hilbert型积分不等式

通过估算权函数，建立一个含参数的具有最佳常数因子的Hilbert型积分不等式．同时建立它的两种最佳推广式及相应的等价形式．     

裂解气相色谱质谱法研究增塑剂邻苯二甲酸二甲酯的热降解机理

用裂解气相色谱-质谱联用方法研究了橡胶产品中使用的增塑剂邻苯二甲酸二甲酯(DMP)在不同温度条件下的热裂解行为.对不同温度条件下裂解产物的分析表明,在初始阶段DMP的裂解产物主要为二氧化碳、苯、甲苯和苯甲酸甲酯.随着温度的升高苯甲酸甲酯进一步裂解成为分子质量更小的自由基,并发生稠环化反应形成更稳定的菲、蒽、间-联三苯、三亚苯等芳香族多环化合物.根据分析实验提供的裂解产物信息和有机物热裂解化学反应的原理对DMP的热裂解反应机理作了探讨,表明在废旧合成橡胶热裂解回收过程中,增塑剂DMP的高温裂解会产生多环芳烃污染物.应选择合适裂解工艺和裂解温度,以减少对环境的污染.     

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.