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111.
HL—1M托卡马克中的硼化 总被引:2,自引:2,他引:0
用碳硼烷加氢直流辉光放电,在HL-1M托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜,平均厚度50-70nm硼碳比约为1:6。硼化后器壁条件有了本质的改善,对器壁上氧源的抑制特别显著,也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小,放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。 相似文献
112.
HL—1装置辅助加热等对能量约束的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在HL-1托卡马克上进行了辅助加热,加料,电流驱动的物理实验研究。在改善等离子约束方面,某些实验取得了较好的结果。在适当的稳定放电条件下,低杂波电流驱动和弹丸注入辅助加料,均能使等离子体能量约束得到一定程度的改善,与相同密度条件下的欧姆加热放电相比,能量约束时间提高了约30%。在电子回旋共振加热等离子体实验中,等离子体总能量明显增加,但与相同密度条件下的欧姆加热放电相比,能量约束时间减少了约20% 相似文献
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本文讨论了在指数型寿命数据中,对同时存在的异常大数据和异常小数据的检验方法,给出了一个明确的判别标准,并以一例说明其应用。 相似文献
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CHENXi SUNZhimin WANGYuanyuan WANGWeiqi 《声学学报:英文版》2004,23(3):244-250
A Doppler ultrasound analysis method based on wavelet package transform was proposed for embolic detection. The embolic Doppler signal was firstly decomposed using the wavelet packet. Then the sensitive characteristics were calculated from each sub-band signal and used in the emboli classification. This method was applied to analyze 300 cases simulated and 163 cases clinical Doppler signals. The minimum error ratio of embolic detection using this method was 13 percents lower than that using the traditional spectrogram analysis method.It was shown that this method overcame the limit between the time and frequency resolution in the short time Fourier transform, improved the accuracy of embolic detection greatly and extracted more reliable parameters for the clinical diagnosis. 相似文献
116.
显微镜产品质量光电检测的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
显微镜产品质量光电检测的实施是光、机、光电、计算机技术的综合运用。本文是笔者多年来研究成果总结,包括了已研制出的XJ-1型生物显微镜多功能光电质检仪及其改进;对显微镜离焦性能检测的探索,共可实现显微镜产品质量七个考核项目的检测与等级分拣。这些成果给显微镜行业提供了先进的检测工具;同时为发展我国显微镜产品检测技术、提高检测水平起积极的促进作用。 相似文献
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HL-2A is the first tokamak with divertor in China. The objectives of HL-2A are to produce more adaptable divertor configurations to study energy exhaust and impurity control, and to study enhanced core plasma confinement by profile control and moderate plasma shaping. HL-2A has well optimized operational flexibility and excellent accessi-bility for the diagnostic systems to facilitate various plasma experiments. 相似文献
118.
Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices
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We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the bias step of the external bias voltage applied on the device has an important effect on the final current-voltage (I - V) curves. The results show that different bias step applied on the device can change the bistability, hysteresis and current plateau structure of the I - V curve. The current plateau occurs only in the case of small bias step. As the bias step increases, this plateau structure disappears. 相似文献
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3.2电磁驱动的高能量密度动力学研究3.2.1固体套筒内爆动力学实验磁力驱动下高速内爆的金属套筒是一个柱形会聚撞击器(又称为飞层),可用来进行冲击压缩和许多流体动力学实验,为此当撞击内部靶芯时套筒内表面附近必须接近于固体状态的密度,因而称为固体套筒。如同气体炮是标准的平面冲击加载装置那样,电磁驱动的固体套筒是柱面会聚冲击实验的通用平台,其能力和精度明显超过爆轰会聚装置,而且没有爆炸带来的种种不便之处。为了用各种材料作撞击器,在轻质良导体(如铝)驱动筒内侧衬上用所需材料制作的薄筒,组成所谓复合套筒。固体套筒内爆动力学… 相似文献
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