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61.
运用密度矩阵理论,研究了在外加相干耦合场作用下∧型四能级系统的吸收和色散特性。数值模拟表明:通过调节外加相干场的拉比频率强度,该系统可以单重、双重电磁诱导光透明现象,并在缀饰态表象中给出了定性解释。在双重电磁诱导透明现象中,透明窗的位置和吸收峰值可以通过调节外加相干场的失谐量来进行控制,而且透明点的位置可以连续变化。每个透明窗口在吸收最低时都伴随着高折射率,因此可以在此介质中实现超光速传播。  相似文献   
62.
In this paper, the dispersionless D-type Drinfeld-Sokolov hierarchy, i.e. a reduction of the dispersionless two-component BKP hierarchy, is studied. The additional symmetry flows of this hierarchy are presented. These flows form an infinite-dimensional Lie algebra of Block type as well as a Lie algebra of Hamiltonian type.  相似文献   
63.
We report the fabrication of widely tunable ridge waveguide distributed Bragg reflector(DBR) lasers with InGaAsP butt-joint as grating material. The shape of the butt–joint interface is found to have significant effect on the properties of the lasers. It is shown that irregular mode jumps during wavelength tuning can be avoided by a V-shaped butt–joint interface. From the fabricated device, 23 channels with 0.8 nm spacing and greater than 35 dB side mode suppression ratios are obtained. The different tuning characteristics of the ridge waveguide and the previously reported buried ridge stripe DBR lasers are discussed. Combined with the wide tuning range and the simple structure, the ridge waveguide DBR lasers are promising for use in wavelength division multiplexing passive optical networks(WDM-PONs).  相似文献   
64.
本文研究了双向螺旋型谐振器的耦合特性,并采用此谐振器设计、制作了适用于第三代移动通信系统的8节高温超导滤波器.该滤波器中心频率为1950 MHz,带宽为60 MHz.滤波器完成制备后,采用集成封装方式,将其与低温低噪声放大器封装在同一金属盒内,实现了滤波器系统的小型化.文章研究了集成封装方式的尺寸、结构对滤波器性能的影响.测试结果表明,采用集成封装方式的滤波器系统具有优良性能,与独立封装方式相比,器件的总尺寸减小了20%以上.  相似文献   
65.
雷兵  冯莹  魏立安 《光子学报》2009,38(6):1322-1326
分析了采用分束器构建干涉型复合腔进行激光束相干合成的过程与原理.利用分束器的特征矩阵研究了分束时产生的反射与透射相移,得到了两束相干光经过分束器分束后进行相干叠加时相移满足的普适关系,从相移的角度解释了分束器一侧发生相长干涉时另一侧必然发生相消干涉这一现象.比较了分束器与光纤耦合器在激光束相干合成应用中的一些特性,并验证了所得相移关系式的正确性.  相似文献   
66.
采用溶胶-凝胶法制备了具有高活性的可见光响应插层膨润土负载掺氮TiO2光催化剂(以下简称光催化剂)。利用IR对光催化剂的微观结构进行表征,并以亚甲基蓝为目标降解物,讨论了光催化剂在可见光下的催化活性。结果表明:氮掺杂TiO2成功负载于插层膨润土片层表面。在尿素掺杂量为0.35g和催化剂用量为40mg条件下,光催化剂对25mL初始浓度为5mg/L的亚甲基蓝溶液的降解率可达99%。  相似文献   
67.
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E.B)异质结和基区.集电区(B.C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射.扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E.B和B.C异质结构均为全交错II型能带结构的InP/GaSbAs/InPDHBT的性能相比,E.B异质结采用传统I型、B.C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InPDHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.  相似文献   
68.
本文采用均匀多流管模型和多流管模型,建立了基于Troposkien曲线的Φ型垂直轴风力机气动性能的计算方法和程序。在多流管模型中加入了附加阻力系数修正和动态失速修正,提高了计算精度。分析了流管数目对流管模型计算结果,以及实度和高径比对Φ型风力机空气动力学特性的影响。  相似文献   
69.
李杰  蒋泉 《强激光与粒子束》2012,24(7):1648-1650
采用水热法制备了1维ZnO纳米线,并通过改变ZnO纳米线的取向(横向和竖直)和不同的P型半导体材料,制备了不同的有机-ZnO纳米线混合光电二极管。通过改变光照与非光照的条件下并在光照条件下改变光电二极管与光源的距离,对所制备的光电二极管的相关特性进行研究。结果表明:采用水热技术能够制备高质量的ZnO纳米线;当光电二极管两端通正向电压时,光照时的电流大于非光照时的电流,当通反向电压时,结果则相反;同时,光电流还与光照强度有关,光照强度越大,光电流越大。  相似文献   
70.
对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 关键词: 最大模式增益 p型掺杂 InAs/GaAs量子点激光器  相似文献   
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