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在Linux操作平台下应用FAST_wmg有限元前后处理软件对机械密封焊接金属波纹管膜片建立了有限元模型并进行了非线性有限元分析.在同等条件下对焊接金属波纹管采用了S型膜片和V型膜片,并分别进行了有限元强度评价和对比分析.结果表明,两种膜片最大应力集中都在膜片两端周围发生.这与文献所叙述的波纹管的主要失效发生在膜片两端与焊谷接近的部位非常吻合,但是,在同样边界条件下,在同样位移量时S型膜片最大应力值比V型膜片最大应力值小,压缩量大. 相似文献
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利用微分方程的级数求解方法,分析了两端简支的有限长功能梯度圆筒的轴对称稳态热弹性问题,推导出了稳态温度场与应力场的解析解。分析中采用指数函数模型来描述FGM圆筒中材料性能在厚度方向的连续变化,同时忽略温度对材料性能的影响。另外,论文以金属钼和多铝红柱石制成的功能梯度圆筒为例,给出了稳态温度场和应力场的数值结果。 相似文献
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A series of complexes formed between halogen-containing molecules and ammonia have been investigated by means of the atoms in molecules (AIM) approach to gain a deeper insight into halogen bonding. The existence of the halogen bond critical points (XBCP) and the values of the electron density (Pb) and Laplacian of electron density (V2pb) at the XBCP reveal the closed-shell interactions in these complexes. Integrated atomic properties such as charge, energy, polarization moment, volume of the halogen bond donor atoms, and the corresponding changes (△) upon complexation have been calculated. The present calculations have demonstrated that the halogen bond represents different AIM properties as compared to the well-documented hydrogen bond. Both the electron density and the Laplacian of electron density at the XBCP have been shown to correlate well with the interaction energy, which indicates that the topological parameters at the XBCP can be treated as a good measure of the halogen bond strength In addition, an excellent linear relationship between the interatomic distance d(X…N) and the logarithm of Pb has been established. 相似文献
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载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words. 相似文献
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通过对Eu2-xPbxRu2O7(x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0和1.8)系列样品的结构、电阻和磁化率的观测,结果发现,随着Pb替代浓度x值的增加,样品的电阻率逐渐减小,系统在x=0.8附近发生了金属-绝缘体(M-I)相变;Ru4+的局域磁矩及其自旋玻璃冻结温度TG也随之降低. 在该体系中,Pb2+对Eu3+的部分替代使样品中载流子浓度增加,Pb的6p能带与Ru 4d电子的T2g能带混合,能带得以拓宽,Ru 4d电子的巡游性增强,导致该体系物性的系列变化. 相似文献
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