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31.
两种蓝色有机电致发光材料   总被引:4,自引:1,他引:3  
重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它稳定性,在这度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料。  相似文献   
32.
《发光学报》2006,27(1):74-74
第4届全国有机分子和聚合物发光与激光学术会已于2005年11月7~11日在广州召开。会议由中国物理学会发光分科学会主办,华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室和华南理工大学高分子光电材料与器件研究所联合承办。本次会议的主题是:有机高分子发光与激光材料设  相似文献   
33.
本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪(Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer)测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数,我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜,然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量,测量在大气中进行,光谱范围从200到1000nm(或1.24到5cV),测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃,接着,用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光子能量)的变化函数进行拟合,通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线,并且从材料吸收谱的吸收边,我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。  相似文献   
34.
本文对二种新合成的2,3-二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ)和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究,发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移,而在配合物Ⅱ中2,3-二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化,说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。  相似文献   
35.
自组装有机分子薄膜的可逆超高密度信息存储   总被引:1,自引:0,他引:1  
温永强  宋延林  高鸿钧 《物理》2006,35(12):1000-1002
信息技术的迅速发展对信息存储密度提出了越来越高的要求,采用自组装方法研究了有机分子4’-氰基-2,6-二甲基-4-羟基偶氮苯(4’cyano-2,6-dimethyl-4-hydroxy azobenzene)的成膜特性.通过在扫描隧道显微镜的针尖和基底之间加脉冲电压在薄膜上进行信息点的写入,得到了直径为1.8nm的信息点,并分析了信息点形成的机理.  相似文献   
36.
碘分子光学双共振多光子电离光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
37.
偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
黄燕萍  王深义 《光学学报》1998,18(10):290-1294
用皮秒Nd:YAG激光器的倍频光(532nm)对具有离域π-共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给,测得三阶非线性电极化率x^(3)和它们的时间响应分别为10^-9esu和20ps,并对影响x^(3)的瞬时光栅作用和x^(3)的响应时间人了讨论。  相似文献   
38.
刘颖  杨小震 《化学通报》1994,(10):20-22
双桥反应及其应用刘颖,杨小震,刘跃(牡丹江师范学院化学系,黑龙江157422)(中国科学院化学研究所,北京100080)根据反式消去、反式加成反应 ̄[1,2],人们提出了非经典三元环离子结构(我们称之为单桥结构)。在被负离子进攻之前,该三元环结构始终...  相似文献   
39.
李娟  华玉林  牛霞  王奕  吴晓明 《发光学报》2002,23(2):171-174
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。  相似文献   
40.
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