高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

磁场对氩原子ArI5p[3/2]2能态碰撞消激发与碰撞消取向的影响

在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］₂能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］₂的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns． 关键词：     

双轴晶体Nd^3＋：KGd（WO4）2的非偏振吸收光谱研究

报道了用三个方向相互垂直的非偏振吸收光谱测量计算Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ参数从而算出双轴晶体Ｎｄ３＋ＫＧｄ（ＷＯ４）２的荧光寿命、荧光分支比和发射截面的方法。得到的荧光寿命为１１９μｓ，平均发射截面为２．３×１０－１９ｃｍ２。     

晶体中离子质量差异与激活离子光谱线热加宽和热位移

证明了基质晶体离子的质量差异对其中的激活离子光谱线的热加宽和热位移有贡献，对于单声子吸收或发射机制产生的热加宽和热位移而言，其贡献可以用一个乘积因子D^2表示，对于喇曼散射机制引起的热加宽，其贡献可以用乘积因子D^4表示，文中分别给出两种离子组成的晶体和三种离子组成的晶体的D的表示式。     

脆性光学材料超精密加工技术

如何在光学晶体、光学玻璃等脆性材料上高效地制取纳米级光学表现是现代超精密加工技术领域的重点研究课题。近年来，此项技术取得了突破性进展，出现了浮法抛光、离子束加工、韧性加工等新一代脆性光学材料超精密加工技术。从加工机理、加工精度、表面质量、生产率等方面对其进行分析比较，并讨论了令人瞩目的韧性加工技术。     

高压下氢化锂晶体中的离子间力与结合能公式的原子分子设计

本文提出一种利用材料Hugoniot数据研究高压下离子晶体中微观离子状态及其离子间排斥作用势的新方法。对氢化锂晶体进行研究时,我们得到Li~+和H~-离子之间排斥作用势函数,结果表明文献〔1〕中提出的离子压缩效应具有客观性。