电感耦合等离子体发射光谱法测定磷酸中钙、镁、铁、铝

本文叙述了用1CP-AES测定磷酸中的Ca、Mg、Fe、Al的原理,试样处理和测定方法,精密度试验相对误差分别是2.17、0.533、1.676、0.638%。回收率在95.58-105.49%之间。基体和元素间不互相干扰。     

ICP—AES法测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W

用7402季铵－Kel-F粉萃取色层使铀和待测杂质元素分离，接着用975型ICP光量计测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W，回收率为95－110％，相对标准偏差≤5％。     

等离子体发射光谱法同时测定铬铁矿中铬、铁、镁和铝

铬铁矿属难熔矿种之一，经典分析方法在铂金坩埚内过氧化钠半熔，容量法测定铬、铁离子交换分离富集后，再用容量法或比色法测定其它元素，分离手续繁杂，耗费试剂多，周期长。等离子光谱（ICP）技术具有稳定性好、灵敏度高、线性范围宽、化学干扰少、多元素同时测定等优点，但由于仪器进样量和雾化效率受测定溶液含盐量的限制，试样前处理通常用酸分解，或碱熔后经沉淀分离除去大量可溶性盐类，用酸溶液沉淀，定容，待测。本文利用ICP上述优点对碱熔试样不经分离直接酸化，对高倍稀释试液测定铬铁矿中的主量元素进行了探讨。试验表明，此设想是可行的。本文还就试样的分解条件、酸度、元素间的光谱干扰作了研究，拟出了同时测定铬铁矿中铬、铁、镁、铝的分析方法。本法 质矿产部标准试样的结果与推荐值对照，符合要求。本法称取试样量少，试剂用量少，用银坩埚代替昂贵的铂坩埚，不经分离直接酸化后同时测定4种主量元素，大大简化了操作手续，为分析铬铁矿中主量元素的含量寻找了一条准、快、省的途径。     

四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能

以四溴双酚Ａ（ＴＢＡ）合成了在水和空气中稳定的四溴双酚Ａ合锑铝双金属化合物（ＴＢＡＳＡ）．通过ＩＲ、１ＨＮＭＲ和元素分析予以表征，并研究了其对聚乙烯（ＰＥ）和聚环氧乙烷（ＰＥＯ）的阻燃性能．结果表明，这种分子中含有溴、锑和铝的化合物，对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果．     

NCD系统的数学建模与稳态分析

本文以有限齐次马尔科夫链对NCD（无索赔折扣）系统建模，严谨地证明了，任一NCD系统皆存在唯一的平稳分布。此外，给出了求解这一平稳分布的一般算法，并揭示了此平稳分布的结构。特别地，对两类给定的折扣类转移法则，还给出了平稳分布的显式。     

利用富铈混合稀土改善工业纯铝中富铁相形貌的研究

利用金相分析方法研究了富Ce混合稀土变质对含不同Fe量的工业纯铝的组织和其中富铁相形貌的影响。试验结果表明,随着Fe含量的增加,富铁相由弥散细小的颗粒状向短棒状、长针状转变;富Ce混合稀土变质使铝中的富铁相由长针状变为弥散细小的颗粒状。随着稀土含量的增加,-αAl晶粒逐渐细化,富铁相尺寸及数量逐渐减小。添加0.5%稀土时,-αAl晶粒细化效果最佳,而且富铁相呈细小颗粒状均匀分布在-αAl基体的晶界处。本文还对稀土改善富铁相的机制进行了分析。     

单晶和多晶纯铝蠕变过程中的内耗

研究了单晶和多晶纯铝蠕变过程中的低频内耗. 在单晶纯铝中观察到: 内耗在蠕变初期单调下降, 在蠕变第一阶段后期出现了一个显著的时间内耗峰, 在蠕变第二阶段内耗趋于稳定值. 多晶纯铝在类似实验条件下则不出现时间内耗峰. 文中分析了出现时间内耗峰的条件和原因, 认为它是由于蠕变第一阶段中运动位错的阻尼系数逐渐增大所引起的. 文中还从蠕变过程中位错运动的微观机制出发, 推导出了蠕变过程中内耗的表达式, 满意地解释了实验结果. 关键词：     

一种基于粒子滤波的测向定位跟踪算法

基于多站测向定位提供的目标辐射源方位角信息,提出了一种基于粒子滤波的测向定位跟踪算法.该算法采用序贯蒙特卡罗的粒子滤波技术,对目标辐射源方位信息进行粒子滤波融合处理,实现了对机动目标辐射源的无源定位跟踪.仿真实验表明,该算法适用于非线性模型和非高斯噪声的目标跟踪,与传统的基于卡尔曼滤波的多传感器融合跟踪算法相比,定位跟踪更为精确,从而对提高战场电子目标定位跟踪和精确打击具有广泛的应用价值.     

FeMnAl合金的低温电阻率反常

报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应.     

三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点，分析了微通道板的离子反馈形成机理，给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板的吸附气体，另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命，还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现，不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破，还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通电源的应用。