钯配合物催化的α-烯烃与一氧化碳对映选择性

乙烯与一氧化碳交替共聚合成的聚酮是一类新型的热塑性高分子材料, 具有良好的机械加工性能.     

用铜（Ⅱ）—L—精氨酸配体交换薄层色谱拆分氨基酸对映体

报道了一种新的配体交换薄层色谱拆分氨基酸对映体的方法。以醋酸铜－Ｌ－精氨酸的络合物为配体交换剂，用浸渍的方法吸附在硅胶薄层板上，制成配体交换薄层，用ＰＲＩＳＭＡ优化法选择出展开剂的最佳组成为：甲醇／乙腈／四氢呋喃／水＝８０：８．２：５．８：６，在此色谱条件下，十对氨基酸对映体得到良好的分离，Ｄ－和Ｌ－氨基酸的相对比移值在１．０９－２．４０之间。文中对配体交换薄层的制备方法，样品的分子结构及色谱行为     

手性配体立体选择性萃取分离扁桃酸对映体

Based on chiral ligand exchange, the distribution behavior of mandelic acid enantiomers in the two-phase system containing copper ion(Ⅱ)(Cu²⁺) and N-n-dedecane-L-hydroxyproline (L), was studied. At different pH, the partition of Cu²⁺ in the two-phase system containing N-n-dedecane-L-hydroxyproline, was investigated. The formation constant of binary cpmplex(Li₂Cu) was obtained by regression. The influence of pH, concentrations of Cu²⁺ and chiral ligand, and solvents on partition coefficients(K) and separation factor(α), was discussed. The experimental results show that Li forms more stable ternary complex with D-mandelic acid than with L- mandelic acid. There is a large influence of pH on K and α. At low pH values (<3.5), formation of binary complexes is thermodynamically unfavourable. K and α are best when pH values are above 3.5 and the molar ratio of chiral ligand to Cu²⁺ is 2∶1. At the same time, solvents influence K and α very much.     

N-烷基化手性氨基醇配体的合成

本实验制备了不同构型的两种N-单烷基和N-双烷基的新的手性氨醇配体。     

用透射积分法研究的穆斯堡尔谱学——一个在聚合二茂铁研究中的应用

本文利用透射积分法，在聚合二茂铁研究中发现，这种方法不但能够得到超精细参数，而且能够得到一般拟合方法得不到的另外两个重要参数—样品的无反冲分数和相应的德拜温度，由此能进一步了解到样品在结合中晶格的质量及化学键的强弱，为穆斯堡尔谱研究提供了一条新的途径。     

镍 钴 钯 铁2—（二苯基膦基）吡啶配合物的合成及其催化羰基化反应

众所周知,铑催化剂是醇类羰基化的有效催化剂,但是铑价格昂贵且对设备有腐蚀性,因此,寻找出对醇类羰基化催化活性好的非贵金属催化剂,对醇类羰化的工业化有十分重要的意义。 本文在温和条件下,合成了四种含有相同配体(Ph_2PPy)不同金属的有机配合物(金属基分别为Ni、Co、Pd、Fe),并探索了它们对乙醇羰基化反应的催化活性。     

2-(3-吡唑基)咪唑并[4,5-f]邻菲咯啉的合成

以邻菲咯啉-5,6二-酮和3醛-基吡唑为原料,合成了一种新的配体——2-(3吡-唑基)咪唑并[4,5-f]邻菲咯啉(1),其结构经1H NMR,IR及MS表征。研究了1的电子吸收和荧光性质。     

脲基苯乙炔4-′(对甲基苯基)-6-苯基-2,2′-二联吡啶铂(II)络合物的合成

本文通过异氰酸酰化反应合成了含有脲基的苯乙炔新型配体及以它作为辅助配体的4′-(对甲基苯基)-6-苯基-2,2′-二联吡啶铂(II)络合物,初步研究了铂(II)络合物的光物理性质,发现由于脲基的存在,当浓度大于3.32×10-5mol/L时铂(II)络合物能够发生分子间簇集.     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.