基于超磁致伸缩材料的光纤光栅调谐范围研究

研究了基于超磁致伸缩材料实现对光纤布拉格光栅的动态调谐这一方案理论上可获得的最大调谐范围．利用超磁致伸缩换能器的输出特性,进行了超磁致伸缩换能器用于光纤布拉格光栅调谐的实验研究．分析了实验中影响可获得调谐范围的各种因素,如实际可获得的超磁致伸缩材料的特性、光纤布拉格光栅的特性以及换能器结构的设计．进一步讨论了在理论界限的前提下改进该方案可获得调谐范围的措施,并以施加预应力为例进行了实验验证．结果表明,通过给予超磁致伸缩材料合适的预应力,可以较明显地改善最大调谐范围．     

楔形薄膜逾渗系统的临界特性

报道一种楔形金属薄膜逾渗系统的制备方法和测量结果,这种新型逾渗系统具有独特的非线性I-V特性和临界规律,从实验中发现:在这一各向异性系统中,普适标度关系仍然成立,分析表明:这些特性是由于该系统中随空间坐标而变化的跳跃电导效应而引起的. 关键词：     

偶氮基染料掺杂薄膜的双光子图象存储

研究了偶氮基染料掺杂薄膜ＭＯ－ＰＶＡ和ＥＯ－ＰＶＡ的双光子存储特性。在对薄膜用Ａｒ＾＋激光作预激发下实现了Ｈｅ－Ｎｅ激光的红光存储。获得了实时和短时存储照片。光电记录存储曲线，分析了双光四能级系统的存储机制。实现确定了最佳预激发功率约为０．２８Ｗ／ｃｍ＾２，最小Ｈｅ－Ｎｅ光可存储功率密度低于０．２Ｗ／ｃｍ＾２。     

自组装有机分子薄膜的可逆超高密度信息存储

信息技术的迅速发展对信息存储密度提出了越来越高的要求.采用自组装方法研究了有机分子4′-氰基-2, 6-二甲基-4-羟基偶氮苯 (4′-cyano-2,6-dimethyl-4-hydroxy azobenzene) 的成膜特性.通过在扫描隧道显微镜的针尖和基底之间加脉冲电压在薄膜上进行信息点的写入,得到了直径为1.8 nm的信息点,并分析了信息点形成的机理.     

相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性     

分光光度法研究芦丁-铜配合物及其自由基清除活性

芦丁是天然多羟基黄酮苷 ,具有广泛的药理作用。分光光度法研究了芦丁与金属铜离子的配位性能 ,在 KH2 PO4- Na OH(p H=7.38)缓冲溶液中 ,芦丁与 Cu( Ⅱ )能形成 1∶ 1的配合物 ,并具有良好清除自由基活性。     

薄膜光学常数的模拟退火算法研究

在薄膜的光学参数拟合时，操作者给定的模型初值对拟合结果有很大的关系。采用广泛用于求解复杂系统优化问题的模拟退火算法来求解薄膜光学常数，降低了操作者给定拟合模型初值的要求。通过对常规的模拟退火算法以及非常快速的模拟退火方法(Very Fast Stimulated Annealing，VFSA)分析，针对性地在模型扰动及退火计划上存在的缺陷作了改进，提高了VFSA算法的计算稳健性。通过大量的拟合实践，验证了提出的改进模拟退火方法的有效性。     

溶胶-凝胶法纳米ZnO薄膜的绿光发射

利用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)和X射线衍射谱(XRD),观测到中心波长在523 nm附近的绿色荧光发射,研究了纳米ZnO薄膜的绿光发射机制,证实了纳米ZnO薄膜绿光可见发射带来自氧空位(Vo)形成的浅施主能级和锌空位(Vzn)形成的浅受主能级之间的复合。     

利用手征SU(3)夸克模型研究轻双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能

在手征SU(3)夸克集团模型下, 通过共振群方法(RGM)计算了双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能. 结果表明, 假定双Λ超核具有双Λ集团和壳心核集团构成的两集团结构, 得到的^6_ΛΛHe超核的结合能与实验值基本吻合, 表明手征SU(3)夸克集团模型不仅能较好地描述重子谱、N-N和Y-N相互作用及轻Λ超核的结合能, 也能较好地描述Y-Y相互作用及双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能, 指出了它们存在的可能性.     

X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应研究

研究了X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应。根据多层膜中的X荧光强度理论计算公式编写了计算机程序,并计算了Zn/Fe和Fe/Zn双层膜样品中不同薄膜厚度时Fe Kα的一次荧光强度、二次荧光强度、二次荧光与一次荧光强度比以及二次荧光在总荧光强度中比例。研究发现,在多层膜样品的X射线荧光分析中,激发条件不变的情况下,元素谱线的一次荧光相对强度、二次荧光相对强度和二次荧光在总荧光强度中所占比例都随薄膜厚度及位置的变化而变化。当Fe和Zn层厚度相同时,随厚度的变化,对于Fe/Zn样品,Fe Kα二次荧光强度占总荧光强度最高为9％,而对于Zn/Fe样品这一比例最高可达35％。