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31.
由美国"国家科学教育标准"想到的--浅议化学实验教学中的探索性学习 总被引:1,自引:0,他引:1
1 美国“国家科学教育标准”中有关探索性学习的本质 1996年 ,在提高全体学生科学素养 (ScientificLiteracy)的背景下 ,美国国家研究院 (NRC)正式出版了“国家科学教育标准”(NationalScienceEduca tionStandards,NSES)。这是美国科学教育史上第一个“国家标准” ,具有鲜明的特征和丰富的内涵。“国家标准”在本质上是一种“以标准为基础的”科学教育改革方案 ,“提高所有学生的科学素养”是贯穿“国家标准”的一个首要目标 ,而“作为探究的科学 (ScienceasInquiry) ;是“科学内容标准”的一项重要内容。美国“国家科学教育标准… 相似文献
32.
半瓶装或敞口置放的氢硫酸容易变质(浑浊)、失效,这似乎是尽人皆知的常识,可我们的实验却意外地发现了许多新的实验事实和实验现象,很值得研究. 相似文献
33.
Safety considerations of TBM are part of the design process to ensure that the TBM do not adversely affect the safety of ITER. So accurate calculations of all radioactivity and potential harmfulness are very important for designing of device, selecting of blanket and shield material, analyzing of the safety and environment, disposing of nuclear waste and operation of the reactor. 相似文献
34.
本文简述了“自主创新”教学模式的形式及涵义,并把近年来在化学奥赛培训中对“自主创新”教学模式的实践体会作了归纳与总结。其中概述了“自主创新”教学模式在培养学生自学能力、实验能力及创新能力的方法与措施作了较深入的分析。 相似文献
35.
燃煤烟气中AsSePb的形态分布及SCl元素对其形态分布的影响 《燃料化学学报》2003,48(11):1298-1309
基于化学热力学平衡分析方法,计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律,研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明,氧化性气氛下,As以As2O5、As4O6、AsO等氧化物的形式存在;Se主要以SeO2形式存在;Pb在1000 K以下主要是固态PbSO4,1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下,As在较低温度时为固态As2S2,900-1400 K以As2、AsS、AsN气体共存,2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H2Se存在,1100 K开始生成SeS和Se2气体,1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO;Pb在中低温时主要是PbS,1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS(g)、PbS(g)、SeS(g)的比例,氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响;Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小,但对Pb的形态分布影响较大。 相似文献
36.
关于高阶中立型偏微分方程系统解的振动性 总被引:16,自引:0,他引:16
近年来,由于偏泛函微分方程(组)理论在人口动力学,生物遗传工程和化学反应过程等领域中有广泛的应用,因而很多学者在偏泛函微分方程(组)解的振动性理论的研究方面做了大量工作,取得了许多成果.本文将研究一类较广泛的高阶中立型偏微分方程组 相似文献
37.
38.
39.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
40.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献