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51.
从1999年起,为了配合素质教育,高考物理理论联系实际以及高科技的题目明显增加,尤其是近两年高考,全国普遍实行3 x模式,这类题目更受命题者的青睐,考生由于受思维、方法、技巧、策略等方面的限制,在解答这类题目时经常陷入误区,现分析如下。 相似文献
52.
DVR计算机数字监控系统 总被引:1,自引:0,他引:1
数字硬盘刻录机(DVR)计算机数字监控系统以计算机为操作平台,集视频采集、数字采集、压缩技术、多媒体技术、通讯控制技术于一体。在一台数字监控主机上能够采集多达十几到几十路的实时视频图像,同屏显示多路画面,并能够实现1路或多路画面切换;通过鼠标直接控制云台的运动方位和镜头的焦距等,能够方便快捷的实现检索功能,快速查找所需监控图像。 相似文献
53.
54.
55.
CHENXixin JIANGGuojian XUXinsheng XUXinsheng 《声学学报:英文版》2004,23(1):88-96
An approach to the detection of underwater remote target by estimating its backscattering coefficient is presented. The key to this approach is that the echo signal is represented in state-variable model and the back-scattering coefficients of target are contained in dynamic noise of this model, thus underwater target can be detected by estimating this dynamic noise, i.e., deconvolving this model. When all noise statistics are a priori known, an optimum deconvolution algorithm based on the optimum state filter is derived, or else, an adaptive deconvolution algorithm based on the adaptive state filter of alternatively estimating the vector state and the noise statistics is developed. In the final simulation test, an echo signal with SNR equal to -6.1 dB is proceeded using the aforementioned two deconvolution algorithms, respectively, and the results demonstrate good performance of the approach. 相似文献
56.
商标数据库存储模式及其检索算法研究 总被引:6,自引:0,他引:6
依据商标专家的先验知识和基于内容的图像检索技术,提出了一种新的商标库存储结构,并依据该存储结构设计了以三级检索算法为核心的实用商标登记注册管理系统,对于检索算法,一级检索采用人工确认,二级检索采用傅立叶描述子作为边缘特征向量,三级检索采用hu不变矩组作为矩特征向量,从而达到提高商标申请注册中的检索速度和查准率。 相似文献
57.
58.
Solutions for a Mode Ⅲ Growing Crack in a Piezoelectric Plane Under Two Kinds of Electric Boundary Conditions *
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The solutions for a mode Ⅲ crack growing along an arbitrary propagation path in a piezoelectric plane are studied under the impermeable surface condition and the electrical contact surface condition respectively. According to the two kinds of electric boundary conditions, the Hilbert and Riemann boundary value problems in a half-plane including opening smooth arc are obtained from the theoretical analysis. Moreover, the equipollence of the solution formed under these two electric boundaries is proved, and unified solutions for the stress and electric displacement distribution in the crack-tipfield of the piezoelectric plane are achieved. 相似文献
59.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
60.
Simulation of Patterns and Qualitative Analysis of Pattern Rotation in an End-Pumped Nd:YVO4 Laser
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We simulate some laser output patterns observed in our previous experiment employing superposition of Laguerre- Gaussian modes. The rotating pattern is qualitatively analysed from the point of contemporary spatial burning hole effect of the lasing crystal. 相似文献