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宽禁带半导体β-Ga2O3因为具有优良的物理化学性能而成为研究热点.本文基于DFT(Density Functional Theory)的第一性原理方法,先采用PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)中的GGA(Generalized Gradient Approximation)和GGA+U(Generalized Gradient Approximation-Hubbard U)的方法计算了本征β-Ga2O3,Lu掺杂浓度为12.5%的β-Ga2O3及Lu-Eu共掺杂浓度为25%的β-Ga2O3结构的晶格常数、能带结构和体系总能量.发现采用GGA+U的方法计算的带隙值更接近实验值,于是采用GGA+U的方法计算了本征β-Ga2O3,Lu掺杂的β-Ga2O3以及Lu-Eu共掺杂的β-Ga2O... 相似文献
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综述了近年来国内外利用氮掺杂改性二氧化钛的光催化剂性能、提高可见光的利用效率的最新研究进展;分析和讨论了氮掺杂二氧化钛的制备方法、理论计算和结构模型、掺杂机理等;总结了氮掺杂改性二氧化钛存在的问题,同时讨论了今后的研究方向. 相似文献
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非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究 总被引:2,自引:1,他引:2
通过改变O和N含量研究SiOxNy薄膜中从600到1600cm^-1范围内的红外吸收光谱特征。结果表明,起源于单-Si-O、Si-N键的吸收峰在1105和865cm^-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1036和856cm^-1处。 相似文献
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采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H2O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/?的外加电场能有效降低H2O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍,显著提高了单层GeSe对H2O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据. 相似文献
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