首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2593篇
  免费   1706篇
  国内免费   2010篇
化学   2649篇
晶体学   567篇
力学   22篇
综合类   60篇
数学   7篇
物理学   3004篇
  2024年   87篇
  2023年   171篇
  2022年   201篇
  2021年   209篇
  2020年   208篇
  2019年   207篇
  2018年   176篇
  2017年   206篇
  2016年   201篇
  2015年   221篇
  2014年   382篇
  2013年   391篇
  2012年   304篇
  2011年   322篇
  2010年   323篇
  2009年   301篇
  2008年   298篇
  2007年   248篇
  2006年   256篇
  2005年   192篇
  2004年   212篇
  2003年   189篇
  2002年   163篇
  2001年   170篇
  2000年   114篇
  1999年   91篇
  1998年   47篇
  1997年   76篇
  1996年   51篇
  1995年   60篇
  1994年   61篇
  1993年   27篇
  1992年   46篇
  1991年   23篇
  1990年   29篇
  1989年   17篇
  1988年   11篇
  1987年   3篇
  1986年   6篇
  1985年   6篇
  1984年   2篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有6309条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结动力学   总被引:2,自引:0,他引:2  
对Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结性能进行了研究, 得出等速烧结过程中试样的线收缩率、密度、气孔率随烧结温度的变化规律, 它们随烧结温度的变化均呈"S"型曲线关系, 利用非线性回归了等速烧结过程动力学方程. 结果表明, Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结过程分为3个阶段, 当烧结温度低于1000 ℃时, 线收缩率与密度变化较小, 处于烧结的初期; 在1000~1400 ℃时, 随着烧结温度的升高, 线收缩率与体积密度急剧增大, 材料开始烧结并致密化; 当烧结温度高于1400 ℃时, 线收缩率与体积密度趋于一恒定值, 材料已经致密化. 由归一化速率方程可知, 在T=1225 ℃时, 材料的烧结致密化速率最大.  相似文献   
112.
113.
Zn2SiO4基体掺杂稀土离子纳米粉体的制备和光谱特性   总被引:2,自引:2,他引:2  
采用sol-gel法在Zn2SiO4基体中掺杂稀土离子Eu^3 和Y,制备了Zn2SiO4:Eu及Zn2SiO4:Eu,Y纳米粉体,研究不同稀土离子浓度对荧光强度的影响,并采用热重-差热分析,X射线粉末衍射,荧光光谱分析等技术手段进行表征,目标产物的平均粒径分别为31nm和27nm。  相似文献   
114.
纳米银掺杂二氧化硅复合颗粒的制备及表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
0引言金属纳米颗粒因其粒子尺寸小(1 ̄100nm),比表面积大,表面原子数多,表面能和表面张力随粒径的下降急剧增大而具有量子尺寸效应[1]、小尺寸效应[2]、表面效应[3]及宏观量子隧道效应[4]等,从而出现了不同于常规固体的新奇特性,如:光学性质、磁性质以及电磁学性质[5],使其在催化、信息存储及非线性光学等领域展示了广阔的应用前景[6]。虽然制备金属纳米颗粒的方法有很多[6],但是由于纳米尺寸的金属颗粒具有较高的表面能,容易发生聚集,所以如何保持其稳定性依旧是比较困难的问题。随着纳米科技的发展,人们正尝试用各种方法来解决这个问题:如…  相似文献   
115.
铁掺杂TiO2纳米管阵列对不锈钢的光生阴极保护   总被引:4,自引:0,他引:4  
李静  云虹  林昌健 《物理化学学报》2007,23(12):1886-1892
在含FeSO4的HF、H2SO4/HF、NaF/Na2SO4溶液中,通过电化学阳极氧化直接在纯钛表面制备Fe 掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米管阵列. 应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X 射线光电子能谱(XPS)等手段对纳米管阵列的结构、形貌及化学组成进行表征. 利用光电化学测量研究Fe-TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为. 考察了温度、时间、掺杂含量等参数对TiO2纳米管阵列的几何尺寸、形貌和光电性能的影响. 结果表明, Fe掺杂可有效减缓TiO2纳米管阵列载流子的复合, 窄化TiO2带隙宽度, Fe-TiO2在410-650 nm范围显示强吸收, 并使光谱响应扩展到波长大于400 nm 的可见光区. 实验结果还表明, Fe-TiO2纳米管阵列对316不锈钢(316L)具有良好的光生阴极保护作用, 暗态下阴极保护作用可继续维持.  相似文献   
116.
采用非晶态多核配合的方法合成了La1-xCuxMnO3(x=0、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5)系列催化剂, 并用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面测定仪(BET)等手段对催化剂的微观结构进行了表征. 研究了Cu掺杂对钙钛矿结构及其对CO催化氧化发光性能及催化氧化CO、CH4性能的影响规律. 结果表明, 当x≤0.1 时, Cu掺杂仍可形成单相的钙钛矿结构; 当x>0.1时, 过量掺杂的Cu以CuO杂相存在. Cu掺杂可改善La1-xCuxMnO3催化剂对CO和CH4的催化氧化活性. 经700 ℃焙烧3 h制备的La0.9Cu0.1MnO3催化剂具有最高CO催化氧化活性(T100%=170 ℃), 该结果与CO催化氧化发光结果一致.而La0.95Cu0.05MnO3催化剂对CH4的催化氧化活性最高(T95%=705 ℃).  相似文献   
117.
Nb 掺杂LiFePO4/C 的一步固相合成及电化学性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
用固相法一步合成了Nb掺杂的LiFePO4/C复合材料, 研究了Nb掺杂量对材料电化学性能的影响. 结果表明, Nb掺杂后LiFePO4/C复合材料的电化学性能明显提高. 在0.5C、1C和2C充放电倍率下, 名义成分为Li0.96Nb0.008FePO4/C正极材料的比容量分别为161、148和132 mAh•g−1, 已达到实用化水平. 阻抗谱和循环伏安特性测试显示, Nb掺杂有效地降低了复合材料电极的阻抗和极化, 说明Nb掺杂的主要作用是提高了LiFePO4的电子电导率.  相似文献   
118.
聚苯乙烯磺酸掺杂聚苯胺的合成   总被引:7,自引:1,他引:7  
以苯胺(An)为单体,过硫酸铵(APS)为氧化剂,在聚苯乙烯磺酸(PSSA)的水溶液中,合成了可完全溶于水的PSSA掺杂PAn。研究了An浓度,PSSA浓度,APS浓度,APS的滴加时间,反应时间及温度对An聚合反应及其产物的水溶性,导电性及特性粘度[η]的影响。结果表明:在比较宽的实验条件下,都可以合成出具有良好导电性的可溶于水的PSSA掺杂PAn;其中当An:PSSA:APS的摩尔比为1.7:2.5:1,APS溶液的滴加时间为3h,反应时间为1h,反应温度为14℃时,得到的掺杂PAn导电率最高达0.156S/cm。  相似文献   
119.
Fe3+/V5+/TiO2复合纳米微粒光催化性能的研究   总被引:29,自引:1,他引:29  
采用溶胶凝胶法制备了Fe^3 /V^5 /TiO2复合纳米微粒作为光催化剂。光降解反应结果表明,其掺杂催化剂Fe^3 /V^5 /TiO2的光催化活性明显提高。光电化学研究显示,铁离子可以成为电荷陷阱,促进空穴的界面传递反应。适量钒离子掺杂使TiO2电极的光电流升高,导带中电子浓度的增大,加快了界面的电子传递反应。共掺杂催化剂中,Fe^3 、V^5 分别提供了空穴与电子的陷阱,同时加快了电子与空穴的界面传递反应,从 更有效地提高光催化活性。双组份共掺杂为提高TiO2光催化活性提供新的途径。  相似文献   
120.
铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用沉淀法于300 和600 ℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料. 扫描电镜显示, 300 ℃时制备的样品具有多孔特征, 而600 ℃时制备的样品具有很高的结晶度. X射线研究表明, 少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构. 红外光谱研究表明, 300 ℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水. 热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在, 1 mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18 mol. 铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性, 进而提高了材料的充放电循环性能. 于600 ℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160 mAh·g-1的可逆比容量, 但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能. 于300 ℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600 ℃样品, 但该材料在C/1.9倍率时仍具有100 mAh·g-1左右的可逆比容量. 两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关. 低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构, 而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号