荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

氯化物熔体中钇的电还原和合金化

用循环伏安法研究ＮａＣｌ－ＫＣｌ－ＹＣｌ３熔体中Ｙ＾３＋在钨电极的电还原。Ｙ＾３＋一步可逆电沉积为钇。用循环伏安法、卷积伏安法、恒电位电解断的电位－时间曲线及Ｘ射线衍射法研究了Ｙ＾３＋在铁电极上的还原过程。在金属钇析出前，电极形成多种钇与铁的金属间化合物。用电位阶跃的电流－时间曲线测定了钇在Ｙ６Ｆｅ２３相中的扩散系数及扩散活化能，结果表明钇在其合金相中的扩散相当缓慢，该步骤对电极过程可以起控制作用     

一种在线液—液萃取微型多用分相器的设计和应用：IV.流动注射液— …

设计了在线液－液萃取多用重分布相器及相应流动注射流路系统与ＩＣＰ－ＡＥＳ法联用。具有良好的分析性能，通过对矿石中某些重稀土元素在硝酸介质中被ＴＢＰ萃取的应用研究表明钇，镱，铒的检出限（３σ）分别为６．８ｎｇ／ｍＬ，０．２ｎｇ／ｍＬ和１．５ｎｇ／ｍＬ，精密度（ＲＳＤ％）分别为０．２４，０．４７和１．８，进样频率为２５－３０个／ｈ。     

钌（Ⅱ）－联吡啶－巴比妥酸－Ce（Ⅳ）化学发光体系测定巴比妥酸的研究

利用巴比妥酸对Ｃｅ（Ⅳ）氧化钌（Ⅱ）－联吡啶化学发光反应的增强作用，建立了痕量巴比妥酸的自动脉冲注射化学发光测定法方法的检出限为１０×１０－９ｇ／ｍＬ，线性范围为５０×１０－８－６．２×１０－５ｇ／ｍＬ巴比妥酸的衍生物如巴比妥、苯巴比妥和戊巴比妥对Ｃｅ（Ⅳ）氧化钌（Ⅱ）联吡啶化学发光反应无增强作用据此对合成样中巴比妥酸作选择性检测探讨了巴比妥酸的增强机理     

δ-氨基乙酰丙酸的合成

研究了合成δ-氨基乙酰丙酸(ALA)的简便方法。由带保护基的二肽:ZGly-DL-ValOH,KGly-DL-LeuOH, 2Gly-DL-ILeOH和ZGly-DL-AlaOH经环化、加成、开环和水解反应,合成了δ-氨基乙酰丙酸(4)。     

陆相地层特殊的钒卟啉优势和高含量Di-DPEP的发现

本文使用TLC,UV-Vis,HPLC,MS等方法,对中国陆相地层中的卟啉化合物的类型、结构、指纹分布等进行研究。结果表明:鄂尔多斯湖相地层中的钒卟啉优势是由于样品的高成熟度造成,而贵州藻烛煤中异常高的Di-DPEP分子可能与其丰富的母质来源、成岩作用早期弱氧化条件及随后的还原环境有关。     

Y2O2S：Eu,Mg,Ti,Tb红色长时发光材料的研究

利用高温固相反应法合成了一种新型的红色长时发光材料－Y2O2S：Eu,Mg,Ti,Tb.材料的XRD测试结果表明Eu掺杂引起Y2O2S，Eu,Mg,Ti,Tb晶胞增大，激发光谱，发射光谱和发光衰减曲线表明该材料是一种适合紫外线和可见光激发，并具有很好的长时发光性能的红色长时发光材料，热释光谱测试结果表明该材料可能具有两个较深的陷阱能级，研究了Eu,Mg,Ti,Tb的加入量对材料发光特性的影响。结果表明：Eu,Mg,Ti,Tb影响材料的初始亮度和发光时间，Eu决定材料的红色比。