岩石类材料裂纹分叉非规则性几何的分形效应

本文考察了岩石裂纹(从晶粒尺寸的微裂纹到几千米的断层构造)的分叉在几何上存在的非规则性,在文献[10,11]的基础上,应用分形(fractal)几何建立了裂纹分叉的分形模型,分析了裂纹分叉的分形效应,从几何的角度研究了裂纹分叉使断裂韧性提高的物理力学现象,导出了一个比smith公式更合理的断裂韧性计算式。     

应用图论方法探索烷烃异构系列辛烷值的变化规律

考察了10种常用拓扑指数与烷烃辛烷值的相关关系, 探索了结构排序法预测烷烃辛烷值的变化趋势及其分布规律。     

吡咯与一系列小分子之间的双氢键

采用密度泛函理论, 在B3LYP/6-311++G(d, p)水平上对以吡咯为质子供体的一系列双氢键体系进行了详细的研究. 采用AIM理论对双氢键体系进行了电子密度拓扑分析, 讨论了双氢键的成键特征和双氢键形成前后受体和供体H原子的积分净电荷、偶极矩、体积和能量的变化.     

半经验分子轨道法的电子密度拓扑分析（Ⅱ）

化学反应过程中的过渡态结构及氢键的拓扑性质,是近年来刚刚涉及的课题,本文讨论了文献[1]的方法对偏离平衡构型的过渡态结构及超分子体系的可用性问题及对计算精度较敏感的电子密度拉普拉斯量的拓扑特性。     

低温合成超导体Ba1-xKxBiO3

先以BaCO₃和Bi₂O₃为原料由传统的固相反应制备纯BaBiO₃,然后在低温下将用KOH-KF熔盐处理这样的拓扑反应合成了Ba_1-xK_xBiO₃超导体. 所有样品均进行了粉末X射线衍射（XRD）和磁性表征. XRD结果表明,所得Ba_1-xK_xBiO₃样品均为纯相,且均可用赝立方晶胞指标化. 磁性测量表明所有样品具有超导电性,最高超导转变温度（T_c）为30.6 K. 讨论了反应时间、前驱体与熔盐质量比对超导转变温度的影响. 最佳的反应条件为：反应温度450 ℃,反应时间4 h,BaBiO₃：KOH：KF质量比1：5：2.5.     

甲亚胺1,2—脱氢过程中化学键变化的量子拓扑研究

在IRC解析的基础上,用电子密度的量子拓扑分析方法研究了甲亚胺1,2-脱氢过程中化学键的变化.反应途径中各点化学键的拓扑性质可以清楚地反映出化学键断裂及生成过程,计算结果进一步证明该反应为协同非同步反应.本工作为研究化学反应过程提供了一种新的方法。     

规则溶液理论应用于bola/SDS混合体系的研究

以规则溶液理论研究了bola型阳离子两亲分子与十二烷基硫酸钠（SDS）混合体系的表面和胶团相互作用.相互作用参数的数值表明, bola分子与SDS在胶团中和溶液表面都发生了强烈的相互作用,这种相互作用的强度与普通季铵盐/烷基硫酸钠混合体系相当.这说明bola分子与SDS混合体系中的协同作用主要是由亲水基之间的静电相互作用产生的, 而bola分子结构中疏水部分对相互作用没有显著影响.     

Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物的拓扑学研究

本文给出了一种由Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物分子式导出可能结构的拓扑方法。作为例子，文中利用该方法导出了四核单Mo(W)簇合物的各种可能结构，并预测了簇合物［Mo₂O₂S₆Cu₄(PPh₃)₄］的各种可能结构。本文介绍的拓扑方法，为Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物的结构提供了一个组织框架，也为预测簇合物的新结构提供了一个合理的基础和途径。     

乙烯、乙炔与双卤分子间π型卤键的电子密度拓扑研究

运用DFT和MP2(full)在6-311++G(d, p)和aug-cc-pvdz基组水平上, 对一系列简单的分子间π型卤键体系C2H4(C2H2)-XY(XY= F2、Cl2、Br2、ClF、BrF、BrCl) 进行构型全优化, 得到了T型卤键复合物. 结果表明MP2(full)/ 6-311++G(d, p)计算结果与实验结果较吻合. 并在MP2水平上计算了分子间的相互作用能, 用标准Counterpoise procedure (CP)方法对基函数迭加误差(BSSE)进行了校正. 利用电子密度拓扑分析方法对卤键复合物的拓扑性质进行了分析研究.     

融合STDP规则的忆阻联想记忆电路

脉冲时序依赖可塑性规则和联想记忆规则共同描述了神经元突触的可塑性,对生物的学习和遗忘有重要的影响。现有的脉冲时序依赖可塑性规则与忆阻器结合的相关研究,仅实现了联想记忆的学习功能。基于此,融合脉冲时序依赖可塑性规则设计了一种新的忆阻联想记忆电路。首先,分析脉冲时序依赖可塑性规则和联想记忆规则之间的联系;接着,设计一种具备延时功能的模块,融合两种规则;进一步,结合模块设计了一种忆阻联想记忆电路,实现了学习和三种遗忘功能;最后,通过PSPICE仿真验证了学习和三种遗忘功能,以及所提出方案的有效性。