STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。     

PVDF超声探头的特性和电学匹配

本文着重介绍了一种新的超声探头--PVDF（Polyvinglidene-Flouride)探头的特性和等效电路，并研究了如何将这类探头与发射和接收电路进行西文方可获得高分辨率。     

中间补气的双级压缩热泵系统性能的实验研究

以滚动活塞压缩机为例,搭建了带中间补气的单机双级压缩热泵系统,对中间补气参数对系统制热性能的影响进行实验研究。实验结果表明:中间补气与不补气相比,制热量增加5～8%,制热COP提高3～7%。能降低排气温度8～14℃,压缩机效率提高5～12%,高压级容积效率提高4～9%。为今后压缩机设计和热泵系统运行提供了实验数据和经验参考。     

小型冷库液体冷媒融霜系统的研究

研究了液体冷媒融霜系统应用于小型冷库制冷系统的性能;介绍了液体冷媒融霜原理和控制操作过程、液体冷媒融霜实验的装置和方法;对实验结果进行了分析;重点通过库温变化、蒸发器进出口温度压力变化、过冷度对系统的影响、系统COP几个方面,研究了液体冷媒融霜应用于小型冷库制冷系统的性能。     

keV 质子辐照对Kapton/Al光学性能的影响

 采用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了质子辐照地面模拟试验,选取质子能量90 keV,辐照通量5.0×10¹¹ cm¹²·s^-1。通过辐照前后光谱反射系数的变化考察了实验样品的光学性能退化特征。借助于反射光谱和紫外-可见吸收光谱和傅里叶转换红外光谱分析技术分析了辐照后Kapton/Al光学性能的退化机理。研究结果表明：辐照过程中样品表面发生了复杂的化学反应,随着辐照剂量的增加光能隙逐渐减小,Kapton吸收曲线的末端边缘发生红移并且在可见光区吸收强度增加。     

密封环境气氛中水汽控制技术研究

为了控制密封容器中的水汽，建立有利于物品长期贮存的干燥环境气氛，采用理论、设计与试验验证，定性与定量相结合的方法，对本项目开展了较系统的研究。     

大容量贮氘氚铀床的研制

为了满足重水提氚中大量氘氚气体的安全贮存与转运，设计并加工了大容量氘氚铀床并对其进行了贮氘氚性能的测试。     

MP-C60(M=Cu,Co)化合物的合成、表征及光电性能研究

卟啉和金属卟啉不仅是良好的电子给予体,而且在紫外可见光区有着非常广泛的吸收,这有利于太阳能的利用.富勒烯(C60)由于自身独特的结构而成为较好的电子受体.近年来,大量共价键连卟啉-富勒烯D-A化合物被合成与研究[1-4].通过柔性连接体形成的卟啉-富勒烯化合物有利于增加给-受体间电子的流动性,使化合物具有优良的光电转换性能[2].中间体和产物的合成见图1.1和2的合成、纯化参照文献[2].3的合成:在N2下把37.2mg对羟基苯甲醛、75.2mg2、过量灼烧的无水碳酸钾加入30mL DMF中,80°C反应8h后,甲苯和蒸馏水分液,粗产品用硅胶柱层析,甲苯淋洗,…     

Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AIGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer

The efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode （LED） with an A1GaN/InGaN superlattice （SL） electron-blocking layer （EBL） is studied numerically, which involves the light-current performance curve, internal quan- tum efficiency electrostatic field band wavefunction, energy band diagram carrier concentration, electron current density, and radiative recombination rate. The simulation results indicate that the LED with an A1GaN/InGaN SL EBL has better optical performance than the LED with a conventional rectangular A1GaN EBL or a normal A1GaN/GaN SL EBL because of the appropriately modified energy band diagram, which is favorable ibr the injection of holes and confinement of elec- trons. Additionally, the efficiency droop of the LED with an AIGaN/InGaN SL EBL is markedly improved by reducing the polarization field in the active region.     

La2Zr2O7:Eu3+纳米棒的合成、表征及其荧光性能

采用传统固相法和水热法成功地制备出棒状La₂Zr₂O₇:Eu³⁺荧光粉. 利用X射线粉末衍射仪、透射电镜和荧光光谱仪等分析了产物的结构、形貌和发光特性. 结果表明红色荧光粉La₂Zr₂O₇:Eu³⁺有良好的晶相,属于立方结构,空间点群为Fd3m; 其形貌主要为纳米棒, 平均直径约47 nm, 长度为50～700 nm. 并对纳米棒的生长机理进行了探讨. 在466 nm蓝光激发下,La₂Zr₂O₇:Eu³⁺荧光粉能发射出Eu³⁺的特征红色荧光,发射主峰位于616 nm处,归属于Eu³⁺的⁵DO_→⁷F2_{超灵敏电偶极跃迁.此外,在产物的发射光谱中能够观察到⁵D}1_→⁷FJ _{(J=0, 1, 2)跃迁和⁵D}1_→⁷FJ _{(J=1, 2, 4)跃迁的劈裂峰,这说明Eu³⁺处在低对称性的晶体场格位中.}