基于反应路径主通道的集总方法在JP-10高温燃烧机理简化中的应用研究

为了构建符合化学反应规则的小尺度高密度碳氢燃料JP-10燃烧反应机理,用于发动机燃烧室设计的计算流体力学数值模拟,本研究以Gao C W等用RMG机理自动生成程序构建的JP-10详细燃烧机理为基础,通过DRG和DRGEP方法进行初步简化后,进行全燃烧时段反应路径分析以确定主要反应通道,并对反应路径主通道集总。将包括集总反应的扩展机理和USCMech 2.0核心机理组合,用DRG、DRGEP和FSSA方法对组合的机理进一步简化,得到含73个物种,411步反应的简化机理。该简化机理能在合理的误差范围内再现JP-10的高温燃烧点火延时。该集总方法可以推广到其他高密度多环碳氢燃料机理的简化,结合进一步的物种集总方法,能提供更小尺度的燃烧机理。     

冷原子吸收光谱法测定污水中总汞的两种消解方法比较

研究了用王水(1+1)及KMnO4 K2S2O8 消解污水,冷原子吸收光谱法测定总汞的两种方法。试验证明王水(1+1)消解水样测定污水中总汞具有较高的灵敏度和精密度,方法的线性范围为0~10.0μg·L-1,检出限为0.22μg·L-1,相对标准偏差小于 3%,加标回收率为 98.5%~101.2%。与KMnO4 K2S2O8 消解法相比,具有操作简单、所需试剂较少、结果稳定等特点。     

微波高压消解双道原子荧光法测定蔬菜总砷和汞

用微波高压消解技术处理样品,用原子荧光光谱仪测定蔬菜中总砷汞,具有快速、方法简便、结果准确可靠的优点.方法的回收率为:砷90.1%-106.9%,汞91.0%-104.0%;检出限为:砷0.10μg/L,汞0.008μg/L.     

炉内配风方式对锅炉经济性的影响

本文以炉内配风方式对锅炉经济性的影响为研究对象。当机组负荷为300 MW时,省煤器出口的最佳氧量为3.4％左右;当机组负荷为225 MW时,省煤器出口的最佳氧量为4.6％左右;就二次风的组合方式而言,在高温区保持适宜的氧气浓度,可以提高反应速度,保证煤粉颗粒的燃尽,提高锅炉的经济性,而燃尽风的风门开度选择主要考虑降低锅炉的气体排放物(丰要是NOx),对炉内燃烧效果影响不大。     

球墨铸铁总碳量分析样品的制取方法

本文讨论了球墨铸铁总碳量分析样品的各种制取方法的优缺点。     

车灯光源的优化设计

通过建立直角坐标系,利用线、面方程得出以下结论:1.根据由光源发射的辐射能均匀分布在以点光源为中心的球形波阵面上,把所求的总功率之比转化为以线光源一点F′为球心,|F′B|为半径(B为灯口边缘最上的顶点)的球面被灯口所截得的两个球冠面积之比,经计算得直射光总功率反射光总功率≈0.690683.2.直射光的亮区是由圆滑动而成.3.光源放在车灯焦点处效果最佳.     

Keggin型铜取代磷钨杂多阴离子可见光催化降解罗丹明B

以Keggin型铜取代杂多阴离子PW11O39Cu(Ⅱ)(H2O)5-[PW11Cu]为可见光催化剂,有机染料罗丹明B(RhB)为模型污染物,研究了在可见光照射下PW11Cu对RhB的可见光催化降解作用,提出了PW11Cu可见光催化作用的反应机理,同时考察了RhB初始浓度、PW11Cu初始浓度和溶液pH值对RhB光催化降解速率的影响。 实验结果表明,含有15.6 μmol/L PW11Cu+10 μmol/L RhB的水溶液在可见光照射下反应80 min,RhB的降解率达100%,总有机碳去除率约33%。 RhB的可见光催化降解服从准一级动力学方程,在RhB初始浓度为20、30和40 μmol/L的情况下,其表观一级速率常数分别为3.1×10-2、2.0×10-2和1.5×10-2 min-1。     

Moessbauer谱学及其在熔渣铁离子行为研究中的应用

综述了Moessbauer谱学原理、基本参数和测定方法；分析了熔渣中铁离子行为，并从化学和谱学角度阐述了Fe^2 和Feoct^3 离子的Moessbauer谱特征，讨论了铁离子行为与熔渣碱度、渣中全铁量及Na2O、Al2O3含量的关系；提出该领域的研究前景。     

高温燃烧碘量法测定萤石中的总硫

建立高温燃烧碘量法测定萤石中总硫含量的方法。采用铜粉为助熔剂与萤石样品混合,以氧气为载气,萤石样品在高温燃烧管式炉中于1 200℃加热燃烧,将萤石样品中的硫转化为二氧化硫,以酸性碘化钾–淀粉溶液吸收二氧化硫,用碘酸钾标准溶液滴定。实验条件:氧气流量为1.5～2.2 L/min;称样质量为500 mg;铜粉用量为1 000 mg。在选定的实验条件下,总硫测定结果的相对标准偏差为2.1%～2.8%(n=11),方法的加标回收率为98.0%～103.5%。该方法准确、快速、简便、检测成本低,可用于萤石中总硫含量的测定。     

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

电离总剂量（TID）与单粒子效应（SEE）是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转（SEU）敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转（MBU）比例无明显变化。