一种光纤位移传感器中的参考光纤

本文介绍了一种强度反射式光纤位移传感器，其探头是由几根排列后的光纤构成，其中的一根光纤作为参考光纤。主要分析了参考光纤在该传感器中的独特作用，既提高传感器的稳定性和抗干扰能力，又改善输出信号的线性和增大量程范围。     

怀念核物理学家虞福春教授

回顾了虞福春教授一生的业绩，他是一位杰出的实验物理学家，1950年，他最早发现核磁共振谱线的化学位移，为核磁共振技术在化学领域的应用打开了大门，他测定了许多原子核的自旋和磁矩，为检验核壳结构模型作出了重要贡献，他又是一位优秀的教育家，培养了一大批物理人才，他的教学思想已经影响了几代学生。     

三维电子散斑干涉技术及其应用研究

通过大错位剪切镜和一作为参考物的压电陶瓷相移器将三个电子散斑干涉系统组成一新的三维电子散斑干涉系统。利用该系统，结合相移技术和图像处理技术，可得到独立的位移场(u,v和w场)。该技术的特点是用三个激光器作为光源，一个压电陶瓷相移器产生参考光并实现相移，CCD摄像机前放置大错位剪切镜以使物光和参考光产生干涉。将该技术应用到柴油发动机零部件测量上，得到了主轴承孔周的三维位移场。     

大戟属植物中二萜酯和倍半萜甙结构的2D NMR研究

从阿勒颇侧大戟和巨枝大戟全草中分别得到的一个巨大戟烷型二萜酯和一个倍半萜甙，利用1H－1HCOSY；HMQC，RMBC等2DNMR技术归属了所有质子和碳的化学位移信号，并准确指定了二萜酯中每个酯基以及倍半萜甙中糖的连接位置．     

应用RJMCMC方法识别线性模型异常点

传统线性模型异常点识别方法容易发生误判:正常点被归为异常点或者异常点被归为正常点.为解决此类问题,提出了应用逆跳马尔科夫蒙特卡洛方法识别异常点的思想,同时将其应用于实际数据加以检验,识别效果明显好于传统方法.     

位移二项式态与位移负二项式态的性质及其与二能级原子的相互作用

提出并研究两种新的量子光场态：位移二项式态和位移负二项式态．讨论了两种量子态的光子数分布、亚泊松分布特性．结果表明：位移二项式态是介于相干态与位移粒子数态之间的一种量子中间态，在不同参数下可表现亚泊松分布和超泊松分布；位移负二项式态是介于相干态与位移Susking Glogower位相态之间的量子中间态，它只表现超泊松分布．研究了它们与二能级原子在强度耦合情况下相互作用原子反转的动力学演化. 关键词：     

瓷砖划痕的单像素检测实验

为了检测瓷砖表面划痕,设计了使用单像素探测器的实验.实验采用特别的照度设计实现瓷砖表面面向探测器的辐射通量分布均匀化,实现均匀的检测灵敏度,并把划痕引起反射率分布异常转化为反射率累积异常(或者总辐射通量异常).研究了4种不同类型合格瓷砖各自的总辐射通量和划痕引起的总辐射通量异常,结果显示划痕导致总辐射通量的明显改变,证...     

一类四阶变分不等式解的极限正则性

An example of a fourth order variational inequality is structed in this note. The example shows; u∈H^3+σ(Ω) with every σ<0.5(but u(?) H^3.5(Ω)) is limiting regularity of solution u of a fourth order variational inequality with displacement obstacle.     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理

针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1MeV中子注量为1×10¹⁴n/cm².测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在器件内引入体缺陷,沟道处的体缺陷通过俘获电子和散射电子,造成器件电学性能退化,主要表现为阈值电压正漂、输出饱和漏电流减小以及栅极泄漏电流增大.经过低频噪声的测试计算得到,中子辐照前后,器件沟道处的缺陷密度由1.78×10¹²cm^–3·eV–1增大到了1.66×1014cm^–3·eV^–1.采用C-V测试手段对肖特基异质结进行测试分析,发现沟道载流子浓度在辐照后有明显降低,且平带电压也正向漂移.分析认为中子辐照器件后,在沟道处产生了大量缺陷,这些缺陷会影响沟道载流子的浓度和迁移率,进而影响器件的电学性能.     

基于傅里叶变换的细胞牵引力测量研究

为了更快、更直观地进行细胞牵引力的测量,提出了一种基于傅里叶变换的细胞牵引力测量方法.首先,对微柱阵列的像进行二维快速傅里叶变换得到其空间频谱;其次,选取一级衍射斑点中的一个斑点做快速傅里叶逆变换,得到微柱阵列的幅值分布图;最后,由幅值突变的分布情况及突变的剧烈程度得到微柱阵列偏移量的分布情况,再乘微柱刚度即可得到细胞...