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51.
本文著者研制成PB-1型PVDF可逆式压电换能器。它的通频带较宽,中心频率500—900KHz,通带Q值1.5,发送电压响应[级]148.9dB(re:1μPa/V),灵敏度-210dB(re:1V/μPa)。在水中声脉冲持续时间7—10μs,并有足够的声功率输出,电声效率约10%。 本文介绍了该换能器的结构、理论分析、测量结果及应用效果。证明了理论与实验的一致性。可供电声、水声、超声等其它PVDF传感器设计时参考。  相似文献   
52.
本文利用光弹切片法,对于切槽端部弹塑性应变分布进行了实验研究,同时弄清了切槽类型、切槽长度、载荷水平、加载历史、材料种类和热处理状态等多种因素对切槽端部弹塑性应变分布的影响,为建立能正确反映裂纹尖端(或切槽端部)应变分布的理论解提供了实验依据。  相似文献   
53.
本文涉及近年来骨断裂力学的发展成果.对建立在张开型和剪切型断裂能基础上的方法作了回顾,并讨论了密度、试件厚度和裂纹速度对骨断裂的影响.最后简述了人股骨的试验研究.   相似文献   
54.
本文导出了损伤材料的全量理论,导出了全量公式中H的渐近表达式;最后得到损伤材料平面应变条件下的裂纹尖端的应力应变场。  相似文献   
55.
研制了一种da/dN自动检测系统;介绍了其工作原理和裂纹长度a及循环数N的采集方法;与传统的目测法做了对比;显示了该系统的优越性。  相似文献   
56.
本文提出了一种用于光弹性复合材料的简化应变——光学定律。按照这一简化定律。模型材料的主应变差和主应变方向只要利用光弹性实验测出的等差线与等倾线即可求得。些是一种正交异性光弹性分析的近似方法,这一方法所得结果与实验数据比较,最大误差在10%左右。由于采用简化应变——光学定律使得正交异性光弹性分析工作大为简便,因此它是一种适合于工程应用的近似方法。  相似文献   
57.
首先对结晶增长速率同浓度、分子量和链柔性依赖性进行总结,然后基于微晶核和粒——高分子键组网络结构模型和高分子分子分凝统计结晶动力学,根据高分子链组是微晶粒同连接链段复合体的结构特征及它们间存在的四个相关性(并存性、简并性、顺反式构象共存性和物料守恒性)的事实,成功地把连接链段缩短增长动力方程同微晶粒体积增大增长动力方程有机结合在一起,从理论上创建出一种微晶粒数增长速率和微晶粒尺寸增长速率表达的一般化计算法,推导出结晶体系的微晶粒数增长速率和微晶粒尺寸增长速率同四种增长机制(近邻折叠,近邻伸直,近邻折叠同近邻伸直并联并存和近邻折叠同近邻伸直串联并存)、结晶温度和高分子起始结构(分子量)间定量表达式.当把分子量的指数同链的构象分数相连后,就又从理论上得到了分子量指数同温度和链柔性间的关系式,并讨论了它们同增长机制间的关系,最后以大量结晶动力学实验数据对上述所得到的关系式进行了验证,结果表明它们均能同实验结果很好符合.  相似文献   
58.
高平  戴正德 《数学学报》2003,46(1):75-84
本文研究了非线性应变波方程与Schr(?)dinger方程耦合系统Cauchy问题吸引 子的正则性.获得了该系统在空间Eo中存在整体吸引子Ao,并且Ao与E1中的强吸 引子A1相等.  相似文献   
59.
LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
刘宝林  杨树人 《光子学报》1994,23(4):313-318
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev.  相似文献   
60.
 使用X射线衍射、差热分析、透射电镜及X射线能谱分析,研究了Pd82Si18合金在高压下的凝固特点及所形成的相的结构和稳定性。在5.5 GPa压力下以100 K/s的冷却速率淬火,得到了面心立方结构钯硅固溶体(MS-Ⅰ),其点阵常数为a=0.388 3 nm。与钯硅固溶体共存的还有另一未知结构亚稳相(MS-Ⅱ)。在700 K时上述亚稳相转变成平衡相Pd+Pd3Si。  相似文献   
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