太阳核心中7Be电子俘获几率的计算

在太阳核心的条件下,⁷Be原子被完全电离.所以,重新计算的⁷Be和⁸B太阳中微子流强分别约为4.00×10⁹cm^－2·s^－1和6.18×10⁶cm^－2·s^－1,而标准太阳模型预言的⁷Be和⁸B太阳中微子流强则分别是4.80×10⁹cm^－2·s^－1和5.15×10⁶cm^－2·s^－1.这将进一步增大在Super Kamiokande太阳中微子实验上中微子流强的实验测量值与理论预计值之间的差异.     

类铜离子的电子碰撞参数及其规律

用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ｂａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ａｕ、Ｐｂ类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎｌ），３≤ｎ≤７，４≤ｎ≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度，用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程，用１０个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

流量管理中信息重发问题的研究

信息重发在通信网络中广泛存在。通过对信息重发问题的研究，建立了概率模型，分析了信息到达流的各种性质，得到了到达间隔时间的分布及平均到达速率等重要性能指标，利用数值实验对理论结论进行了验证。所得结果对网络流量管理和拥塞控制有一定的参考价值。     

关于气体中有无速率为无穷大分子的再讨论

本文以较简捷的方法讨论了气体分子速率问题，给出了计算分子最大速率的理论公式，通过这些讨论可更加深入地理解气体中分子的运动情况，准确地理解麦克斯韦速率分布函数。     

热丝加热电流对CH薄膜沉积速率和表面形貌的影响

 热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率，而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明，热丝加热电流越大，薄膜沉积速率越高，在加热电流9A时，薄膜沉积速率可达0.002mm/min，同时薄膜表面粗糙度随之增加，薄膜表面也开始出现其它元素污染，因此，一般热丝加热电流选择为7A附近。     

Al/Al2O3P金属基复合材料的静动态压缩性能及损伤分析

用气压浸渗工艺制备了体积分数40％～50％Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料，使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒，其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm．测定了这些复合材料的静、动态压缩性能，并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤，结果表明，与基体材料相似，这些复合材料表现出明显的应变率敏感性；当增强颗粒平均粒径小于60μm时，材料的累计损伤基本与应变率无关，而主要取决于材料的应变．材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的．较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤，并随着颗粒体积分数的增加，材料的流动应力和损伤率都相应增加．     

半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

核磁共振弛豫速率方法测定模拟正铁色素的结构

在生命体系内正铁色素具有摄铁和输铁的功能,人工合成的模拟化合物具备了正铁色素的主要功能基团和相近的性质.本工作利用铁(Ⅲ)离子的顺磁性质,测定不同铁(Ⅲ)离子浓度下模拟正铁色素的诱导弛豫时间,根据简化了的Solomon—B1oemoergen公式,计算出铁(Ⅲ)离子到所有被测质子(即氢原子)的相对距离,比较清楚地得到模拟正铁色素在溶液中的构象。