90Mo电磁跃迁几率的测量

利用束流能量为116MeV的⁵⁹Co(³⁵Cl,2p2n)⁹⁰Mo反应布居⁹⁰Mo的高自旋态.用10台反康普顿HPGe探测器组成的探测阵列进行γγ符合测量.通过多普勒展宽峰的形状分析测定⁹⁰Mo高自旋态的寿命.在正宇称衰变系观察到增强的M1跃迁,推断I=13以上是扁椭形变.负宇称高自旋态具有大的B(E2)值,并随自旋增大而起伏变化.正、负宇称态之间的跃迁显示增大的E1跃迁,似有八极关联的可能.但是,⁹⁰Mo并不处在理论预言的存在八极形变的核区内.     

A Novel Class of Coherent Localized Structures for the Maccari System

By means of the Baecklund transformation, a quite general variable separation solution of the (2 1)-dimensional Maccari systems is derived. In addition to some types of the usual localized excitations such as dromion, lumps, ring soliton and oscillated dromion, breathers solution, fractal-dromion, fractal-lump and chaotic soliton structures can be easily constructed by selecting the arbitrary functions appropriately, a new novel class of coherent localized structures like peakon solution and compacton solution of this new system are found by selecting apfropriate functions.     

Hg1-xCdxTe/Cd1-zZnzTe的X射线反射率及半峰全宽的动力学研究

X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法，其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线，并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系，且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素，当薄膜厚度小于穿透深度时，表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面，碲镉汞材料厚度大于7μm后，本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。     

蒙药心舒安中锗的差分脉冲极谱研究

在pH=1.30的H2SO4和3,4-二羟基苯甲醛(DHB)底液中,采用差分脉冲极谱法,测得无机锗的脉冲极谱波.其峰电位为Ep=-0.53V.Ge(Ⅳ)浓度在1.03×10-3-1.04×10-4mol·L-1范围内与峰电流呈线性关系,样品中总锗和无机锗的回收率分别是95.72%和96.43%.     

掺杂偶氮化合物的PMMA光折变聚合物的拉曼光谱分析

光折变聚合物具有良好的光折变效应,采用以惰性聚合物PMMA为基体,掺杂偶氮化合物染料的光折变聚合物具有较好的光学非线性和稳定性。文章主要介绍使用激光拉曼光谱仪对合成聚合物的各单体和聚合物薄膜进行拉曼光谱扫描,对比分析各个单体成分的特征谱峰与聚合物薄膜特征谱峰,肯定了实验中得到的光折变聚合物薄膜与理论上要求得到的一致性。     

纳米晶锐钛矿相TiO2的非简谐效应和声子局域

对晶粒尺寸为19.4,8.6和5.6 nm的纳米晶锐钛矿相TiO2,进行了从83到723 K的变温拉曼散射测量,并对Eg(1)模式进行了详细研究.根据非简谐效应和声子局域模型,对Eg(1)拉曼峰进行了拟合与计算.结果表明,以上三种纳米晶粒的晶格振动机理,在本质上是相同的.三声子过程对频率蓝移起主要作用.为了得到很好的拟合,需要同时考虑三声子和四声子过程.随着温度的升高,四声子过程增强,并对三声子过程起抵消作用.与非简谐衰减相关的声子寿命随着晶粒尺寸的减小而增加,晶粒尺寸越小衰减越慢.在低温区,声子局域是导致5.6 nm晶粒的声子寿命非常短的原因.声子局域引起Eg(1)模式在高波数段非对称展宽和频率蓝移,其对Eg(1)峰展宽的影响要大于对峰位移动的影响.     

甲基紫分子拉曼激发虚态的研究

从拉曼峰强入手,求得了甲基紫分子的“时间分辨键极化率”,并与第一原理计算的基态电子密度做对比,讨论了该分子的激发拉曼虚态的性质.研究结果表明,该分子的拉曼激发虚态中电子向分子外围以及两环之间的键流动,并且拉曼弛豫后的键极化率分布与基态电子的密度分布相似.通过研究键极化率的弛豫过程,发现连接两环的键上的键极化率弛豫时间较其他键大.这些结果说明了甲基紫这类双环分子拉曼激发虚态的性质,这对于研究拉曼散射的中间态具有一定意义. 关键词： 拉曼峰强 时间分辨键极化率 弛豫特征时间     

RAP晶体积分衍射效率的实验研究

以北京同步辐射装置的4B7中能束线为光源,对RAP（邻苯二甲酸氢銣）晶体的积分衍射效率进行了实验标定.结果显示:晶体在不同能量段都得到了完整的衍射峰,扭摆曲线的光滑性和对称性较好,在偏离布喇格角以后衍射效率都迅速下降到本底量级.在2.1~5.8 keV范围内,晶体的积分衍射效率在1×10－4rad左右.     

亚乙基硫脲分子键伸缩模式与全耦合模式键极化率的对比及其拉曼激发虚态的相关研究

从拉曼峰强着手,得到了键伸缩模式与全耦合模式两种不同计算条件下,亚乙基硫脲(ethylene thiourea,ETU)分子的键极化率,并比较分析了两种计算结果的异同.研究表明:在键伸缩模式的算法中,仅考虑势能分布中键对称伸缩比重相对较大的部分拉曼峰参与极化率计算,显然忽略了键伸缩与键弯曲间的相互耦合,造成了与弯曲振动耦合较强的部分键伸缩极化率值存在一定误差.因此,此方法虽能使问题简化,但却丢失了一些信息.而全耦合模式算法考虑了所有振动模式(键伸缩与键弯曲)相互影响的情况,能更全面的反映键电荷的分布情况,但却会使问题的求解过程变得复杂.同时,在拉曼激发虚态的相关研究中,两种计算方法却得到几乎一致的键极化率弛豫方式(呈单指数规律衰减)及相同的衰减特征时间.     

In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。