HL－1装置中LHCD和等离子体参数的关系

本文研究了在ＨＬ－１托卡马克的不同放电阶段的低混杂波驱动特性。给出了驱动电流及驱动效率和等离子体参数，如电子平均密度ｎｅ、等离子体电流Ｉｐ及纵向磁场的关系。也给出和分析了波驱动和入射波功率的关系。在放电平段，对正反向驱动效率进行了研究和比较。     

静磁场中的互作用能

讨论了在激发磁场的电流保持不变时和束缚磁荷作为磁场的不变时，两种情况下磁场的相互作用能。结果与静电场类似，两种情况的互作用能中都含有相互磁化，致使物体磁化状态改变作的功。     

r探测器的中子灵敏度标定技术

CeF3，YaP：Ce等无机晶体分别配光电倍增管构成的探测器，对r线有较高的探测效率，被称为r测器。由于其中子灵敏度比相同能量的r敏度要低数倍，有的甚至低一个量级，因此中子辐射源与周围环境物质作用产生的散射中子和r线将严重影响其输出电流，导致中子灵敏度的标定难以实现。     

Hg1-xCdxTe/Cd1-zZnzTe的X射线反射率及半峰全宽的动力学研究

X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法，其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线，并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系，且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素，当薄膜厚度小于穿透深度时，表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面，碲镉汞材料厚度大于7μm后，本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。     

磁光玻璃光纤的偏振特性及其在全光纤电流传感器中的应用

在磁光玻璃裸光纤偏振特性研究的基础上，研制磁光玻璃光纤，偏振特性及其在全光纤电流传感器中的应用。将采用模管法拉制成的磁光玻璃光纤置于亥姆霍兹线圈产生的磁场中，当线偏振光通过该光纤时，其偏振面旋转一定角度，把该角度转换成光信号的强度，然后再用仪器进行检测。通过对线偏振光偏振面在磁场中的偏振特性的测试与实验，提出用磁光玻璃光纤构成的全光纤电流传感器，可用于电流和磁场测试。     

利用J2432交流电特性演示仪做自感演示实验

利用J2432演示仪和指针式演示电表演示了自感过程中电感的电流与电压的相位关系。     

光滑激光脉冲作用下的强场自电离

本文研究了光滑激光脉冲作用下包含高阶离化的强场自电离过程,导出了其中的基本方程,得到了基态布居和光电子谱的一系列解析表达式。讨论了指数增长脉冲作用时的具体结果,发现高能谱比低能谱更能呈现出光电子谱在脉冲光作用下特有的多峰分裂。     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

等效法在伏安法测量中的应用

本文提出了在伏安法测量中，消除电表内阻对实验结果影响的一种新方法