Transmission-mode GaN photocathode based on graded Al_xGa_(1-x)N buffer layer

We create a GaN photocathode based on graded Alx Ga1-x N buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes.A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones.The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s,with negligible magnitude,proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer.     

拉曼光谱对新石器时期白石斧的研究

本文采用显微拉曼光谱技术 ,对云南省永仁县菜园子出土的新石器时期白石斧的表面和截面进行了测试研究 ,结合矿物拉曼谱确定了石斧白色和黑色物质的成分。通过对白石斧截面拉曼谱的分析 ,得出了石斧拉曼主峰 (46 2cm- 1 )的强度随深度变化情况的散点图 ,实验结果发现 ,石斧表面的腐蚀层厚约为 40 0 μm。石斧截面拉曼谱给出了与石斧埋葬年代和周围环境有关的信息     

提高单层GeSe对H2O气体传感性能的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H₂O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/?的外加电场能有效降低H₂O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍,显著提高了单层GeSe对H₂O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据.     

应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

异质结构的构筑与堆垛是新型二维材料物性调控及应用的有效策略.基于密度泛函理论的第一性原理计算,本文研究了4种不同堆叠构型的新型二维Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性质. 4种异质结构型均为Ⅱ型能带结构的间接带隙半导体,光致电子的供体和受体材料由二维In₂Se₃的极化方向决定.光吸收度在可见光区域高达25%,有利于太阳可见光的有效利用.双轴应变可诱导直接-间接带隙转变,外加电场能有效调控异质结构带隙,使AA2叠加构型的带隙从0.195 eV单调增大到0.714 eV,AB2叠加构型的带隙从0.859 eV单调减小到0.058 eV,两种调控作用下异质结的能带始终保持Ⅱ型结构.压缩应变作用下的异质结在波长较短的可见光区域表现出更优异的光吸收能力.这些研究结果揭示了Janus Ga₂SeTe/In₂Se₃范德瓦耳斯异质结电子结构的调控机理,为新型光电器件的设计提供理论指导.     

新三板精选层提高市场流动性和股价信息效率了吗?

市场流动性和股价信息效率是证券市场质量的重要体现.文章以2020年7月27日新三板市场设立精选层这一市场结构改革为背景,采用渐进双重差分方法研究了精选层设立对其挂牌公司股票流动性和定价效率的影响.研究发现,转入精选层的挂牌公司其股票流动性和股价信息效率得到显著提升,设立精选层等改革举措通过完善信息披露机制、提高市场流动性从而改善股价信息效率.进一步研究表明,信息不对称程度较低、市值规模较大的公司股价信息效率显著提高,而信息不对称程度较高、市值规模较小的公司股价信息效率并未发生显著变化,股票价格更多反映了市场和行业收益特征,并未充分吸收公司特质信息,表现为个股联动、股价同涨同跌.考虑到精选层挂牌公司大多为中小型高科技企业,而做市商为专业做市机构,具备为高科技企业股票定价的能力.因此,在精选层连续竞价交易机制基础之上,实施混合做市交易机制,能够进一步改善市场流动性,提高股价信息效率.     

Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。     

光纤激光共孔径光谱合成实现5 kW高效优质输出

采用多层介质膜衍射光栅实现多路高功率光纤激光共孔径光谱合成有望成为光纤激光同时实现高功率、高效率和高光束质量的最具发展潜力的技术途径。搭建了一套基于双光栅色散补偿设计的5 kW共孔径光谱合成系统。采用国产多层介质膜衍射光栅实现了5路kW级窄谱子束激光的高效优质共孔径光谱合成,最大输出功率达5.07 kW,光束质量因子(M2)小于3,合成效率达到91.2%。初步研究表明：多层介质膜衍射光栅在较高功率水平、较宽光谱范围内均能保持较高衍射效率,是实现高功率光纤激光高效率光谱合成的重要器件;参与合成的子束自身的光束质量水平和线宽是影响合成输出光束质量的重要因素,光谱合成系统的输出功率主要受限于窄谱子束的输出功率和合成路数,增加窄谱子束的功率或合成路数均可进一步提升系统的输出功率。     

强激光加载铝材料动态损伤特性及其微介观结构观测

在神光-Ⅱ装置上利用强激光加载铝材料进行高应变率（高于106 s-1）层裂实验,研究不同初始温度下高纯铝材料的动态损伤特性。采用任意反射面速度干涉仪测量样品自由面速度剖面,由自由面速度剖面计算纯铝样品层裂强度与屈服应力。结果表明:随着温度升高,材料层裂强度减小,屈服应力增大。对激光加载前后样品进行金相分析,观察不同初始温度下纯铝材料的微介观结构变化及其损伤特性。结果表明：随着温度升高,样品晶粒尺度缓慢增大,但在873 K（近熔点）时晶粒尺度急剧增加;层裂面附近小孔洞数目较多,孔洞尺寸也较大,而远离层裂面处,孔洞数目相对较少,且尺寸也较小;材料的断裂方式随温度升高由沿晶断裂为主逐渐变为穿晶断裂为主。     

Polar Interface Optical Phonon Modes and Froehlich Electron－Phonon Interaction Hamiltonians in an Arbitrary Layer－Number Quantum Well System

By using determinant method as in our recent work, the IO phonon modes, the orthogonal relation for polarization vector, electron-IO phonon F~6hlich interaction Hamiltonian, the dispersion relation, and the electron-phonon coupling function in an arbitrary layer-number quantum well system have been derived and investigated within the framework of dielectric continuum approximation. Numerical calculation on seven-layer AlxGal-xAs/GaAs systems have been performed. Via the numerical results in this work and previous works, the general characters of the IO phonon modes in an n-layer coupling quantum well system were concluded and summarized. This work can be regarded as a generalization of previous works on IO phonon modes in some fLxed layer-number quantum well systems, and it provides a uniform method to investittate the effects of IO phonons on the multi-layer coupling quantum well systems.