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51.
52.
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
关键词:
MOCVD
ZnO薄膜
透明导电氧化物
太阳电池 相似文献
53.
高温超导氧化物正常态的输运性质有很强的各向异性和异常的温度效应。本文综述了正常态电阻率、霍尔系数和温差电势率等重要输运系数的实验结果和理论分析 相似文献
54.
55.
势函数是在平衡态统计物理中应用得十分成功的理论,将势函数理论推广到非平衡系统是非平衡态统计物理的一项十分重要的任务。本文综述了非平衡态势函数理论的一个重要方面,即利用对随机过程的研究来建立系统的势函数,本文阐述了非平衡系统势函数的定义和概念;论证势函数在系统演化过程中的单调性质;详细介绍了各种计算非平衡势函数的方法;同时介绍了利用势函数解析地研究在噪声作用下的非线性系统的非定态演化行为。整个研究包含了一维和多维系统的广泛系统。 相似文献
56.
采用磁控溅射方法制备了纳米金属锌薄膜,结合后续的空气退火处理制备了纳米锌氧化物薄膜. 金属锌薄膜对甲基橙的还原降解以及锌氧化物薄膜对甲基橙的光催化降解过程都可以用一级反应动力学方程来描述. 甲基橙溶液在金属锌膜的还原降解下具有最快的褪色速率,但矿化不完全:在紫外光波段出现的额外吸收峰表明生成了芳香族中间产物. 完全氧化的氧化锌薄膜对甲基橙的光催化降解速率仅为金属锌膜还原降解速率的1/4左右,没有出现芳香族中间产物. 另外实验发现部分氧化的锌氧化物薄膜对甲基橙的光催化降解速率明显高于完全氧化的氧化锌薄膜,光催化活性的提高可能由于部分氧化薄膜中同时存在的金属锌及氧化锌相之间的协同效应. 相似文献
57.
Co-occurrence of Dominant Direct and Indirect Transitions in Low Temperature Sputtered Indium Tin Oxide Thin Films on Polymers 下载免费PDF全文
Indium tin oxide (ITO) layers are prepared on polymethylmethacrylate and polyethylene terephthalate by rf- magnetron sputtering at room temperature. Their 3D-AFM images and visible transmittance spectra are contrastively characterized and studied. An interesting morphological effect of the polymer substrates on their top ITO layers is observed. Dominant direct and indirect transition types deduced from optical spectra are surprisingly found in ITO films on different polymers. Furthermore, qualitative band structures are figured, and some theoretical discussions about the correlation of optical band structure, interface/surface morphology and carrier density are also presented. 相似文献
58.
59.
从材料选择和整流罩设计两方面,介绍了如何解决高速红外导引头整流罩问题.针对高速红外成像导引头使用环境的要求,分析了整流罩材料选择应考虑的因素.通过比较材料的透过率、硬度、抗弯强度和热膨胀等性能参数,得出尖晶石是较理想的高速导弹整流罩材料,其机械性能和光学性能良好,易于制备,并已取得成功应用;红外玻璃特别适合大尺寸和复杂形状制备.为了减小整流罩气动加热效应,分析了解决气动加热问题的途径,提出可通过镀金刚石膜、信号处理、共形设计等技术来减小影响,并简要介绍共形整流罩设计原理和制造. 相似文献
60.
Effect of oxygen vacancy on transport property of perovskite microstructures is studied theoretically. Compared with calculated and measured I-V curves, it is revealed that electron conduction plays an important role in the oxygen nonstoichiometry perovskite heterostructures even with hole-doped or un-doped material due to the oxygen vacancies. In addition, a detailed understanding of the influence of oxygen vacancy concentration and temperature on the conduction characteristics of oxide heterojunction with both forward and reverse biases is obtained by calculation. 相似文献