Lu2Si2O7：Ce晶体的闪烁性能

用提拉法生长了Lu2Si2O7：Ce晶体，对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明，Lu2Si2O7：Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5：Ce晶体向短波方向移动了25nm，使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征，主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应，即375K以上时，发光效率迅速降低；425K以上时，发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律，常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看，375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同，拟合的结果在32．8～34ns之间；衰减时间的温度效应从375K开始显现，即随温度的升高，衰减时间有加速变短的趋势，到500K时缩短为6．72ns。热释光谱在488，553K处有两个热释光峰，但室温附近几乎观察不到热释光峰。     

Lifetime Measurements for Electric-Dipole △n=0 Transitions in the Beryllium-Like Sulfur

We have measured lifetimes of △n=0 allowed transitions in beryllium-like sulfur using beam foil spectroscopic techniques. The measured values, derived from analysis of arbitrarily normalized decay curves, are presented and compared with theoretical calculations and previous measurements. Accurate probabilities have been determined by the well-known relationship.     

EPT／BIIR橡胶密封材料制备及其性能

为了探索具备低水蒸气透过系数、低透气系数、低压缩永久变形以及良好耐老化性能的新型橡胶密封材料，鉴于影响并用胶性能的主要因素是共混相容性以及硫化速度，从实现并用胶优势互补角度出发，优选综合性能较好的三元乙丙橡胶（EPT）和溴化丁基橡胶（BIIR），开展了EPT／BIIR共混共硫化技术研究，并开展了DBPMH／HVA-2过氧化物硫化体系在EPT／BIIR并用胶中的应用研究。     

泡沫硅橡胶老化后的压缩性能

硅橡胶在贮存和使用过程中，常受到不同应力应变的作用，在其使用和贮存期间会产生一系列物理老化和松弛，导致其内部结构发生变化，从而引起各种性能尤其是力学性能的下降，当性能下降到一定程度时，吉卜赛材料允许使用极限，它就失去了使用价值，因此有必要对硅橡胶的库存和老化进行研究。     

通用串行总线USB2．0规范的功能分析

本文对通用串行总线USB2．0的性能特点、拓扑结构、通用操作和USB设备驱动程序与Windows的接口进行分析。     

非晶金刚石膜的性能及其应用

非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能，为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜，SP^3金刚石结构量≥80％，硬度高，膜／基结合力高，摩擦系数小，耐磨损，耐腐蚀，透光率高，在电子，机械，光学，生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃，丝锥，模具，硬质合金刀头等产品上成功应用。     

对朝鲜弹道导弹能力的初步分析

根据收集到的公开数据，从弹道导弹的种类和数量，导弹的射程，精度，可靠性，再入体设计能力等方面，对朝鲜的弹道导弹能力进行初步分析，在此基础上计算分析了日本导弹防御系统对朝鲜导弹的防御能力。     

具有可调紫外滤光性能的富勒烯胺/壳聚糖共混膜的研究

通过溶液共混及流涎成膜法制备了一系列不同C60乙醇胺含量的壳聚糖共混膜。以及含Cu（Ⅱ）的C60乙醇胺/壳聚糖共混膜。研究表明，C60乙醇胺/壳聚糖共混膜具有优异的可调紫外滤光性能，随着C60乙醇胺含量的增加，其紫外滤光波长从200nm红移至400nm左右。在该复合体系中引入Cu（Ⅱ）能有效改善膜的紫外光学性能，同时还初步探讨了这类复合材料的紫外滤光机制。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

Radiative Lifetimes of Doubly Ionized Terbium

Radiative lifetimes of two short-lived levels （i.e. 4f^8 （TF6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2,13/2） in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence （LIE） technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse （about 1 ns）. The lifetimes of the 4f^8 （^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2 and 4f^8（^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）13/2 levels are determined to be 1.9 （2） and 2.0 （2）ns, respectively.