衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 关键词： MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池     

Sb，In，P掺杂对SnO_2薄膜透明导电性能的影响(英文)

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜,优化了制备工艺参数,获得了最佳制备条件,研究表明,4%的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构,使得紫外-可见光的透过率显著增加;7%的锑掺杂释放出了更多的载流子,使薄膜的方块电阻降低,2%的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率.Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83%,方块电阻达38Ω/□     

存储器用铁电薄膜及电极材料的研究

铁电体独特的自发电极化双稳性质和非线性光学性质使其在光电子器件中得到广泛应用．为了实现器件的小型化和与微电子、光电子工艺兼容，铁电薄膜已成为一个研究热点．自发电极化的大小和取向以及外电场、缺陷和铁电薄膜／电极界面与自发电极化的交互作用决定了铁电薄膜的性质和服役行为．文章以铁电存储器和光电子器件应用为背景，选择了具有重大应用前景的Bi4-xLaxTi3O12（BLT）、SrBi2Ta2O9（SBT）、PbZrxTi1-xO3（PET）和LiNbO3（LN）铁电薄膜以及相关的La（Sr，Co）O3（LSCO）和LaNiO3（LNO）等电极材料为研究对象，研究了缺陷电荷和电畴的交互作用和它们在交变外电场中的动力学行为，探明了铁电薄膜疲劳现象的物理本质；从晶格结构与缺陷的观察研究入手，探索了材料铁电性质的起源和优化材料铁电性质的途径；从铁电薄膜／电极界面结构与性质的研究入手，寻找更有效、更稳定的电极材料与结构，从而为器件应用打下了基础；在研究外电场对铁电薄膜生长机制影响的基础上，找到了利用外电场调控铁电薄膜结构的新途径，发展了新的、与半导体器件和光电子器件工艺兼容的制膜方法．     

导电聚苯胺／MnO2空气阴极氧还原动力学

采用动电位扫描、交流阻抗技术研究了导电聚苯胺/MnO2复合阴极上氧还原反应动力学.动电位扫描表明氧在该复合阴极上还原的极化曲线服从Butler-Volmer公式,表观标准活化能为184.9 kJ/mol,反应为电化学步骤控制;交流阻抗谱观察到氧阴极还原由3个明显的线圈组成,表明氧阴极还原分3步进行,第1个圆弧随过电位的增大而显著减小,表明第1步电荷转移过程的确为氧还原反应的速率控制步骤;导电聚苯胺的高比表面积与MnO2的多微毛细管结构使氧在该复合电极上还原变得容易.     

导电聚苯胺/鳞片石墨复合材料的制备及导电机理研究

采用湿法制备了导电聚苯胺／鳞片石墨导电复合材料．通过对其电阻、IR、SEM、DMA进行表征，以及运用层积模型对复合材料体系电学性能进行了拟合．结果表明：用偶联剂处理过的复合材料比未处理的在电阻性能上有较大改善，石墨粒子开始形成导电网络时的体积分数临界值霞降低到1.43％．IR和DMA验证了温度升高使聚苯胺基体结构向苯-苯式转化，这一过程导致体系电阻在80℃之后呈下降趋势．层积模型对复合材料体系的拟合结果较好地符合了电导率与体积分数之间的线性关系．     

具有共轭结构的导电聚合物及其应用

具有共轭结构的导电聚合物在微电子学和光电子领域有着广泛的应用前景。文章简要介绍了这类聚合物材料的主要合成方法、导电机理及其应用概况，并对目前该领域的研究进展作了扼要评述。     

导电胶粘剂的导电机理研究进展

综述了导电胶的导电机理.导电胶作为无铅焊焊料的替代品,相关研究已受到普遍的重视,但对导电胶导电机理研究的不足在一定程度上制约了其应用与发展.导电胶的导电机理相当复杂,通常可以分为导电通路如何形成与材料形成导电通路后如何导电这两个方面的内容来研究.对此,人们提出了许多阐述导电胶导电机理的理论和模型.本文详细介绍了渗流理论、界面热力学理论、有效介质理论、量子力学隧道效应理论等几种具有代表性的导电理论,对其适应范围、优缺点等进行了评述.     

聚酞菁硅氧烷多晶型现象的HREM观察

把酞菁硅二醇单体置于440℃、1Pa的动态真空下,升华到新的NaCl单晶体的(100)解理面上,使之聚合并外延生成薄膜晶体,也用事先聚合好的聚酞菁硅氧烷作升华源制备了这类薄膜晶体。发现分子链垂直于薄膜平面。并用HREM观察了其多晶型现象。其中β-晶型为四方晶系,a=1.4nm,c=0.66nm,z=2;α-晶型属正交晶系,a=1.4nm,b=2.8nm,c=0.66nm,z=4;γ-晶型属正交晶系,a=1.4nm,b=5.6nm,c=0.66nm,z=8;θ-晶型为正交晶系,a=1.4nm,b=5.6nm,c=0.66nm,z=8。     

膨胀石墨/聚苯胺/Fe_3O_4复合材料的制备及吸波性能

采用原位聚合方法制备了膨胀石墨/聚苯胺(EG/PANI)复合材料,将Fe_3O_4负载于EG/PANI表面,得到具有电磁吸收性能的EG/PANI/Fe_3O_4复合材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)及矢量网络分析仪(VNA)等对复合材料的形貌、成分和吸波性能进行了研究.吸波性能分析结果表明,当掺杂浓度为0.05 mol/L,匹配厚度d=2 mm时,样品的最小反射损耗(RLmin)在8.64 GHz处达到-37 dB.随着掺杂浓度的增加,最小反射损耗峰向低频移动,对应的匹配厚度逐渐变厚.材料的介电弛豫极化、涡流损耗及λ/4模型的干涉相消现象出现的双峰,使EG/PANI/Fe_3O_4复合材料在电磁波吸收领域有一定的应用前景.