p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电     

选通式象增强器的新型导电基底

本文介绍了采用光刻技术制备的一种新型的导电基底,它的面电阻≤ 10Ω,透过率约为 89%.在该基底上研制出的选通式象增强器,可实现选通时间在 ns级以上的高速选通,适用于微光、瞬时多通道高速光谱分析系统和高速摄影系统.     

掺钛氧化锌纳米薄膜的研究进展

在论述磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜研究意义的基础上,介绍了目前国内外有关采用磁控溅射制备的掺钛氧化锌薄膜的研究现状,并展望了掺钛氧化锌薄膜的未来研究方向。     

迥然不同的pV=nRθ与pV=nRT

理想气体的状态方程ｐＶ＝ｎＲθ,是依据三个实验定律进行热力学理论推导的结果。根据它可以用理想气体实现热力学温标。ｐＶ＝ｎＲＴ是依据实验事实得到的理想气体绝对温标的定义式。两者的物理意义是不相同的。     

质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火

本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND (not and) flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注量的升高而减小.浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多,该效应在低能量质子入射时更为明显.经质子辐照后,浮栅单元的数据保存能力有明显的退化.分析认为高能质子通过与靶原子的核反应,间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转,翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异.质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤,产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道,导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.     

衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 关键词： MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池     

（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2]的合成及表征

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2].通过元素分析（EA）,电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）,核磁共振（^1HNMR）,紫外光谱（UV）对该化合物进行了表征。     

边界条件与一维高分子系统的稳定性

讨论了SSH模型在一维有限系统上的稳定性，提出了几种稳定边界的办法，并对边界条件的作用进行了分析讨论 关键词：     

Electric Field Analysis of Space Charge Injection from a Conductive Nano-Filler Electrode

A simulation on the electric field distribution near the electrode is proposed to explain the reason for using nanosized carbon black mixed with ethylene vinyl acetate, as the electrode could lead to more charge injection into the polymer than using a deposited metal electrode. The electrode is simplified to a layer of conductive semi-spheres with fixed size and constant electric potential. By using the finite element method, it is found that both the size of the semi-spheres and the distance between adjacent semi-spheres could dramatically influence the electric field near the surface of the spheres; these are considered to be the two decisive factors for the charge injecting rate at electrodes of various materials.