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992.
由于在微电子器件制造,成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景,激光诱导化学及电化学沉积金属的研究,最近几年引起了极大兴趣[1-3],例如Zahavi[4]报道了Pd,Au,Ni-Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si,InPGaAs上的无掩膜选择性沉积,金属沉积只发生在光照部位.大多数研究工作是围绕应用技术而开展的,理论研究,尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺.我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲,既使不需外加偏压,沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递,因此可以通… 相似文献
993.
用表面反应改性法制备了TiO2-SiO2(TSO)表面复合物载休,用TPR,IR,TPD-MS和TPSR-MS等技术研究了Ni-Cu/TSO间的相互作用及其对CO加氢反应的催化性能。结果表明,NiO-CuO与TSO间的相互作用导致CuO的还原温度降低和NiO的还原温度升高,并有少量表面物种生成;还原后的Ni-Cu/TSO催化剂表面上存在着两类活性中心,即合金相中的Ni及载体相中的Ti^n+(或Ti 相似文献
994.
含氢硅氧烷的硅氢加成反应 总被引:2,自引:0,他引:2
含氢硅氧烷的硅氢加成反应师彤,谢择民,王清正(中国科学院化学研究所北京100080)关键词含氢硅氧烷,二乙烯基四甲基二硅氧烷,硅氢加成反应,~1HNMR铂催化硅氢加成的机理~[1,2]、副反应 ̄[3,4]、聚合物性能 ̄[3,5]等均有报道,个别文献用粘?.. 相似文献
995.
996.
在H6TeO6/KOH水溶液中以臭氧为氧化剂,将二价铜化合物氧化成三价铜化合物,并获得一个新的三价铜化合物Ba4K[Cu(H2TeO6)2](OH)4.6H2O;描述了碱性溶液中“Cu(Ⅲ)/Cu(Ⅲ)”循环伏安图。对铜(Ⅲ)化合物,Na4H[H2TeO6)2].17H2O以及相应的铜(Ⅱ)配合物的电子光谱和Cu2pXPS进行了研究,给出了其配位场场强参数和Cu2PXPX的电子结合能。由于价态升高 相似文献
997.
以电化学循环伏安、现场ESR电化学以及现场薄层电化学方法研究了电生Co(I)TPP与溴代五己烷的反机制。在DMF中,Co(Ⅱ)/Co(Ⅰ)的氧化还原有明显的催化溴代环己烷还原的特片,反现场有自由基生成,反应产物之一是Co-C键化合物,可以在1.30V(SCE)-电子还原,当存在CH2-CHCN时,。生成另一种Co-C键化合物,该化合物在-1.10V(SCE)处一电子还原,证明溴代环己烷与Co(I) 相似文献
998.
999.
1000.