全文获取类型
收费全文 | 1524篇 |
免费 | 317篇 |
国内免费 | 192篇 |
专业分类
化学 | 298篇 |
晶体学 | 28篇 |
力学 | 144篇 |
综合类 | 39篇 |
数学 | 662篇 |
物理学 | 862篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 46篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 63篇 |
2020年 | 28篇 |
2019年 | 52篇 |
2018年 | 27篇 |
2017年 | 48篇 |
2016年 | 51篇 |
2015年 | 68篇 |
2014年 | 122篇 |
2013年 | 69篇 |
2012年 | 93篇 |
2011年 | 112篇 |
2010年 | 74篇 |
2009年 | 72篇 |
2008年 | 101篇 |
2007年 | 77篇 |
2006年 | 79篇 |
2005年 | 78篇 |
2004年 | 73篇 |
2003年 | 94篇 |
2002年 | 55篇 |
2001年 | 55篇 |
2000年 | 68篇 |
1999年 | 44篇 |
1998年 | 44篇 |
1997年 | 43篇 |
1996年 | 29篇 |
1995年 | 35篇 |
1994年 | 31篇 |
1993年 | 32篇 |
1992年 | 22篇 |
1991年 | 28篇 |
1990年 | 23篇 |
1989年 | 22篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有2033条查询结果,搜索用时 62 毫秒
101.
宣满友 《浙江大学学报(理学版)》2002,29(4):373-379,389
利用一个类似于CHENG等引进的微分算子的新微分算子□α(α=n+1,…,n+p),得到了非定空间形式Nn+pp(c)中常数量曲率的紧致的类空子流形的一个刚性定理设Mn是非定空间形式Nn+pp(c)(p>1)中标准数量曲率R为常数的n维(n>2)紧致的类空子流形,且标准平均曲率向量关于法联络平行,如果=R-1,-1<≤0且Mn的第2基本形式的模长平方|B|2满足-n≤|B|2≤C(,p,n),这里C(,p,n)为只依赖于,p和n的某一常数,则|B|2=-n且Mn为全脐子流形.我们把CHENG(1977),LI(1996)的结果推广到了非定空间形式中常数量曲率的类空子流形中.由于我们在定理中去掉了"平坦法丛"的条件,所以本文的讨论优于HOU(1998)的讨论. 相似文献
102.
光通过狭缝,随着缝的宽度变窄,光将偏离直线传播的规律,在光屏上形成明暗相间的条纹,这就是光的衍射现象.该实验通常做法是用现存的缝宽固定的单缝进行实验,虽然在屏上很容易观察到衍射条纹,但单缝宽度却不好或者不易连续改变.采用下面的简易方法进行实验,就能随意改变缝的宽度,从而清楚地观察到随着缝宽的变化屏上形成的光斑及衍射条纹的动态变化情况,在此基础上进行分析就很容易得出产生明显衍射现象的条件及单缝衍射图样的情况. 相似文献
103.
104.
105.
106.
107.
GaAIAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征 总被引:1,自引:3,他引:1
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10~300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800~880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mw。 相似文献
108.
为了在透明基板上制备出导电性能良好的微电路,研究了窄脉宽激光正向和背向选择性去除金属薄膜制备的微结构形貌特征,开展了纳秒激光选择性去除Cu薄膜(厚度为150 nm)的实验和温度场仿真研究,揭示了正、背面去除的烧蚀机理和材料的喷射机制。实验结果表明,当激光脉冲能量为0.270~0.542μJ,扫描速度为2 mm/s时,激光诱导背向去除金属薄膜在加工质量方面优于正向加工,其去除几何精度高,轮廓边缘平整,几乎没有溅射。采用优化后的纳秒激光加工工艺参数,激光脉冲能量为0.403μJ,扫描速度2 mm/s,扫描线间距为3μm,制备出均匀分布的铜阵列图案。在相同参数下对玻璃基板上的铜薄膜背向选择性去除,得到具有良好导电性和粘附性的微电路。 相似文献
110.
蒙特卡罗方法计算定积分的进一步讨论 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了蒙特卡罗方法计算定积分的原理和方法.给出了用蒙特卡罗方法计算定积分的一个简单证明,从而揭示了蒙特卡罗方法和定积分定义间的内在联系.针对蒙特卡罗方法收敛慢的特点,提出将蒙特卡罗方法与相应的数值计算方法相结合,提高计算结果的精度.此外,将蒙特卡罗方法推广到反常积分上去. 相似文献