不同电流下发光二极管温度和光谱特性的实验研究

利用WGD-6型光学多道分析仪和温度传感器设计了测量不同电流下发光二极管(LED)温度和光谱特性的实验,并测定了紫、蓝、绿、黄和红光二极管管温随电流变化和光谱的变化。各种二极管随电流的增加温度升高,紫、蓝和黄光LED升温速率要快。随电流增加,紫、黄和红光LED有明显的红移,绿光LED有明显的蓝移,而蓝光LED先蓝移后红移。随电流的增加LED有光输出饱和现象。电流的增加引起LED半峰宽宽化,红光LED宽化幅度最大,可达15nm。     

可调频高功率宽谱微波的产生和辐射

 设计了一种可调谐频率的高功率宽谱微波辐射装置,装置由可调谐长度的1/4波长低阻同轴谐振器、环形开关、电容耦合器和宽谱辐射天线组成,中心频率调谐为200～400 MHz。低阻传输线与环形开关构成1/4波长短路谐振器,它产生的宽谱微波振荡通过耦合器耦合到宽谱辐射天线上辐射,而耦合器由集中电容与分布电感组成,实现宽谱微波在频率调谐范围内以较为一致的耦合度提取微波能量。通过转动螺杆滑动安装在同轴谐振器内芯上的环形开关,达到改变谐振频率的目的。最后,将可调频宽谱辐射装置与输出电压为500 kV的Tesla变压器脉冲功率源联试,得到200～400 MHz宽谱微波辐射,辐射因子为95～130 kV,频谱百分比带宽为10%～30%。     

宽带光子晶体插分滤波器

 通过使用正方格介质柱二维光子晶体设计了带有环形谐振器的一种插分滤波器ADF(add drop filter)结构,该结构具有1个输入端口和2个输出端口,采用时域有限差分法研究了带有1个环形谐振器和2个环形谐振器的ADF结构传输性能。结果表明：该ADF结构在第三通信窗口具有优良的滤波作用,能够根据需要将电磁波信号沿着波导向前后上下4个方向传输,ADF结构还具有可调性开关波长、宽频带、高传输率等特点,在光子晶体集成化、光器件制作等方面具有潜在价值。     

紫外-可见宽光谱显微成像光学系统的设计

 介绍一个紫外-可见宽光谱显微物镜的设计过程。通过改进的PW法求解初始结构参数,确定采用两个分离的正负透镜组组成透射式光学系统,根据光学材料的色散特性,选取正透镜材料为CaF2,负透镜材料为熔石英,通过建立复消色差方程组来分配双分离透镜的光焦度,合理地对两组透镜的偏角进行分配。运用CODE-V光学设计软件对系统进行优化,使系统的位置色差和二级光谱同时得到校正,实现了复消色差。仿真结果表明：系统在整个视场范围内,点列图弥散圆RMS半径值小于5  ,最大视场处的像散为0.058,畸变为0.04 %。     

士的宁在玻碳电极上的伏安行为

采用微分脉冲伏安(DPV)法研究了士的宁在玻碳电极上的电化学行为.在pH 8.95的B-R缓冲液中,士的宁在+0.996 V(vs.SCE)电位处产生一个阳极氧化峰,峰电流与士的宁在0.06～15.0μmol/L的浓度范围内呈良好的线性关系,最低检测限(D=3σ/K)为0.032 μmol/L.从而建立了DPV法定量测...     

中国计量科学研究院获重大科学仪器专项

云南省计量测试技术研究院国家重大科学仪器设备开发专项课题“宽量限超高精密电流测量仪”是由中国计量科学研究院院士张钟华负责,由中国计量科学研究院、中国测试技术研究院、云南省计量测试技术研究院、黑龙江计量测试技术研究院等9家单位共同申报的国家重大专项课题,现已进行了课题开题答辩,正稳步推进该课题。     

闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究.分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同V族元素形成化合物时的性质变化规律.结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同.随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线向低能端移动(红移趋势).     

极薄宽角度平面超材料吸波体仿真与实验验证

仿真和实验验证了厚度极薄的平面结构超材料吸波体, 该吸波体采用加载交指电容的耶路撒冷十字结构, 通过增加单元间的耦合电容显著降低了其工作频率. 测试结果表明, 该超材料吸波体在1.58 GHz, 吸收率峰值为88.48%, 其厚度为2 mm, 约为1/95工作波长, 吸波体的单元尺寸为11 mm, 约为1/17工作波长. 此外, 通过金属通孔将耶路撒冷十字结构与金属底板相连接, 使其对斜入射横电和横磁极化电磁波具有宽角度吸收特性, 在60°时依然具有较高的吸收率, 且吸收峰频率几乎不发生偏移, 从而使其更具实用价值. 关键词： 极薄 宽角度 超材料吸波体     

InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系

运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出,当量子阱宽为2.5～3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极管获得最大内量子效率与发光效率。     

高功率超宽谱双反射面天线优化设计与实验

对高功率超宽谱双反射面天线系统进行了优化改进设计,兼顾辐射性能、馈入反射和功率容量。采用沿能流线设计的粗胖实体结构代替板状TEM喇叭极板结构,增加低频电流的回流通道,从而改善天线馈入反射特性。将副反射面设计为尼龙箱体内、外两部分,使其与尼龙箱体之间的连接螺钉不再突出于高压电场中,优化后最大场强下降了约70%,功率容量达到59 GW,通过Taguchi优化算法对组合馈源喇叭结构进行整体优化,天线辐射因子rE(辐射场峰值与观测点距离乘积)提高了1.2倍。优化后的天线系统进行了高功率实验,实验结果表明:天线系统功率容量达到30 GW,辐射因子超过8 MV。