InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。     

抛物线型结点组上的插值

本文讨论了R~2上的弧线型结点组之一:抛物线型结点组插值的适定性     

β-BaB2O4晶体高压相变的X光衍射研究

 我们用金刚石压砧装置（DAC）高压X射线粉末衍射照相方法，研究了β-BaB₂O₄晶体的相变。压力从0.1 MPa逐步加至17.6 GPa，发现BBO由室温下的六方相经历了若干次相变后，当压力加至11.5 GPa时，转变为无定形相。在11.5 GPa压力前的相变是可逆的，一旦进入无定形相，则相变是不可逆的。     

带非稠定生成元的指数有界C半群与积分半群Ⅱ：扰动

本文研究指数有界C半群在C不必具有稠值域时的扰动问题。同时也得到n次积分半群带非稠定生成元时的扰动结果。改进与发展了Tanaka、Neuberander、Kellermann和Hieber以及作者之一的相应工作。 C半群、积分半群、非稠定生成元、扰动。     

Bitter型环向场线圈电流分布的研究

本文简述了用数值方法研究Ｂｉｔｔｅｒ型环向场线圈中电流分布情况，给出了不同时刻线圈中电流分布的形式以及线圈电感、电阻随时间的变化，也对电磁力的分布作了分析。     

Kjeldahl与定氮法的创立

Ｋｊｅｌｄａｈｌ与定氮法的创立张清建（四川师范学院化学系南充６３７００２）一Ｋｊｅｌｄａｈｌ其人ＪｏｈａｎＧｕｓｔａｖＣｈｒｉｓｔｏｆｆｅｒＴｈｏｒｓａｇｅｒＫｊｅｌｄａｈｌ，１８４９年８月１６日出生在丹麦的Ｊａｅｇｅｒｓｐｒｉｓ，父亲ＪφｒｇｅｎＰ...