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71.
高效阴离子交换色谱-铜/铂修饰电极安培法测定大观霉素   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用阴离子交换色谱分离,在CuSO4溶液中加入少量镧系化合物,经电沉积制备La3+-Cu/pt/CME工作电极,建立了直流安培电化学法(DC)直接检测硫酸大观霉素的方法。考察了流动相浓度、测定电位等参数对色谱分离和测定的影响。在固定相为CarboPac PA10阴离子交换柱、流动相为26mmol/L NaOH,流速为0.6mL/min的色谱条件下,检测电位为0.68V时,硫酸大观霉素峰面积与其浓度在0.12~12mg/L(r=0.9991)和12~280mg/L(r=0.9995)两个范围内呈线性。本方法不需要柱前和柱后衍生化,能同时测定硫酸大观霉素中的主要组分和杂质。修饰电极制作方法简单,催化稳定性好,可作为电化学传感器测定硫酸大观霉素中的各组分。  相似文献   
72.
建立了检测乳及乳制品中大观霉素药物残留量的高效液相色谱-串联质谱方法。样品直接采用0.1 mol/L乙二胺四乙酸二钠水溶液提取。挥发性离子对试剂七氟丁酸水溶液和甲醇作为流动相,增加了大观霉素的保留时间。本方法对液态奶、奶粉、酸奶、奶酪、奶油中大观霉素的测定低限均为100μg/kg。方法的线性范围为5~500 ng/mL(相关系数r0.991),回收率为75.6%~99.3%,相对标准偏差小于7.5%,能够满足乳及乳制品中大观霉素残留量的快速检测。  相似文献   
73.
孔德乾  张冠茂 《光子学报》2011,40(11):1755-1760
基于非线性耦合模理论,利用逆向递推龙格-库塔法,数值研究了在磁光耦合系数中引入洛伦兹函数微扰后对磁光光纤布喇格光栅线性透射谱和非线性双稳特性的影响.研究结果表明:给磁光耦合系数引入洛伦兹微扰能在线性透射谱阻带中打开线宽极窄的一个透射窗口,微扰宽度和微扰中心位置可以影响透射窗口的位置、宽度以及峰值大小;当微扰宽度和微扰中...  相似文献   
74.
王红  谭群友  钟萌  廖红  张景勍 《光谱实验室》2011,28(6):2803-2806
建立测定阿奇霉素囊泡中药物含量的方法。采用分光光度法,用浓度为75%的硫酸作为显色剂,测定阿奇霉素囊泡中药物含量。阿奇霉素在482nm处有最大吸收,浓度在15—45μg.mL-1范围内与吸光度呈良好的线性关系,回归方程为:A=0.0168C-0.0182,r=0.9999(n=3)。该法操作简便、快速,重现性好,结果准确可靠,可用于阿奇霉素囊泡中药物含量的测定。  相似文献   
75.
黄仙山  羊亚平 《物理学报》2005,54(9):4129-4135
讨论了各向异性光子晶体中外驱动场作用下Λ型原子的动力学性质及辐射谱特性. 通过理论 分析和数值计算发现,原子上下能级的布居数将出现准周期性振荡的性质,其振荡的频率和 振荡的幅度与上能级的耗散系数γ, 驱动场的作用强度,驱动场和共振频率失谐度δ等相 关; 原子上能级与光子晶体带边的相对位置将直接影响到原子自发辐射的模式. 此外,从 辐射谱的角度分析光子晶体对原子周围辐射场的特性及其传输性质的影响.  相似文献   
76.
李来仲  刘庆俭 《合成化学》1997,5(2):197-198
在PTC条件下合成了多亚甲基桥连的双巴比妥类化合物1~3,并通过了元素分析,IR及^1HNMR予以鉴定。  相似文献   
77.
谢旻  凌琳  杨国建 《物理学报》2005,54(8):3616-3621
研究了非简并Λ型三能级原子速度选择相干布居俘获与原子能级结构的非对称性以及原子-激光失谐之间的关系.指出相对于简并、共振情况,原子动量分布的概率峰峰值降低、最可几动量发生变化,而且原子的俘获时间也变得很长.  相似文献   
78.
核磁共振磷谱在克林霉素磷酸酯合成中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过核磁共振磷谱对克林霉素磷酸酯合成反应过程进行跟踪,尤其是对克林霉素一氯代磷酸酯的水解情况进行了较为细致的分析,了解了反应中的一些机理问题,并依此确定了反应的最佳条件.  相似文献   
79.
蒙药“草布—25”中微量锗的测定   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
80.
蒋红  金亿鑫  缪国庆  宋航  元光 《发光学报》2003,24(6):632-636
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%。  相似文献   
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