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本研究探讨前瞻性心电门控双源CT低管电压在冠心病诊断中的应用价值。回顾性选取60例冠心病患者,根据管电压分为观察组(管电压80 kV)和对照组(管电压100 kV),观察两组诊断情况、图像质量等差异。观察组和对照组诊断冠状动脉狭窄的灵敏性、特异性、准确性、阳性预测值、阴性预测值、冠状动脉节段图像质量评分比较,差异无统计学意义(P>0.05)。观察组和对照组升主动脉根部、右冠状动脉开口、左冠状动脉开口管腔CT值、信噪比(SNR)和对比噪声比(CNR)比较,差异无统计学意义(P>0.05)。观察组剂量长度乘积(DLP)、容积CT剂量指数(CTDIvol)和有效辐射剂量(ED)明显低于对照组(P<0.05)。观察组心率<75次/分患者冠状动脉节段图像质量优于心率≥75次/分患者(P<0.05)。因此,前瞻性心电门控双源CT低管电压在冠心病诊断中有较好的应用价值,具有图像质量好、辐射剂量低等优点,同时心率会影响图像质量。 相似文献
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超临界水在倾斜光管中的传热不均匀特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对超(超)临界压力下水在倾斜光管内的传热特性进行了比较系统的实验研究.实验段管径为φ32×3mm,倾角α=20°;试验压力P=23~34MPa,内壁热负荷q=300~500kW/m2,管内质量流速G=300~2000kg/m2s.得到了不同工况下倾斜光管内壁温和管内换热系数的周向分布及其变化规律,考察了压力、质量流速及热负荷对倾斜光管内壁温度的周向分布的影响,重点分析了管内上下母线处内壁温度差随工质焓值变化的特性及机理,讨论了大比热区水的物性变化对倾斜光管内传热不均匀性的影响,并与亚临界压力下的对应实验结果进行了比较. 相似文献
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膜厚均匀性作为高精度光学薄膜的重要参数,对光学薄膜的性能起到至关重要的作用,特别是大尺寸高精度反射膜,对膜厚均匀性的要求极高。本文通过研究蒸发源的发射特性与膜厚分布,结合Mathcad软件建立精准数学及物理模型,编写自动程序,模拟修正挡板形状,极大地提高了薄膜制备均匀性修正的效率与准确性。通过该方法,在公自转行星蒸发沉积设备上制备了直径为320 mm的非球面深紫外反射镜,在紫外(240~300 nm)波段平均反射率大于97.5%,均匀性优于0.5%。本研究对大口径非球面薄膜的均匀性修正提供了理论基础与技术支撑。 相似文献
27.
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Hualong Du Limei Xu Hongping Hu Yuantai Hu Xuedong Chen Hui Fan Jiashi Yang 《Acta Mechanica Solida Sinica》2008,21(6):564-572
Coupled extensional and flexural cylindrical vibrations of a corrugated cylindrical piezoelectric shell consisting of multiple pieces of circular cylindrical surfaces smoothly connected along their generatrix are studied. To validate the results for the case of relatively thick shells or equivalently high-frequency modes with short wavelengths, existing analysis is extended by considering shear deformation and rotatory inertia. An analytical solution is obtained. Based on the solution, resonant frequencies and mode shapes are calculated. 相似文献
29.
大数据及其科学问题与方法的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
大数据的规模和复杂度的增长超出了计算机软硬件能力增长的摩尔定律,对现有的IT架构以及计算能力带来了极大挑战,也为人们深度挖掘和充分利用大数据的大价值带来了巨大机遇.因此,针对网络大数据的共性规律和科学问题,需要研究网络大数据定性定量分析的基础理论与方法.本文重点分析了大数据在数据关联上的复杂性、计算复杂性、系统的复杂性、学习复杂性四个方面的主要研究问题和现状,介绍小结了产业界具有代表性的实际应用IT基础架构,以形成从网络大数据的感知、挖掘获取、质量评估、数据提炼处理到融合表示的综合过程图景,最后对大数据科学、数据计算需要的新模式与新范式(第四范式)等方面的发展趋势和方向进行了展望探讨. 相似文献
30.
Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions. 相似文献