Light-Gradient-Induced Spiral Wave Drifts in a Belousov-Zhabotinsky Reaction

The dynamic behaviour of spiral tip in the light-sensitive Belousov-Zhabotinsky reaction under the influence of an externally applied light gradient was experimentally studied. The gradient causes different drifts for different spiral patterns. The centre of the spiral wave moved toward the region of lower light intensity. The direction of an additional perpendicular drift depended on the chirality of the spiral wave. The dependences of the drifting angle and the drifting velocity on light gradient have been measured.     

用激活性非线性介质Nd：MgO：LiNbO3产生二次谐波

以Nd:MgO:LiNbO_3同时兼作激活介质和非线性光学材料,研究自倍频激光器。用小型氙灯泵浦,在室温下获得二次谐波激光(0.547μm) 阈值小于4.8'J,最大输出400μJ/shot,工作温度范围大于20℃～45℃,无光损伤。     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

Experimental Study of Capillary Effect in Porous Silicon Using Micro-Raman Spectroscopy and X-Ray Diffraction

We investigate the capillary effect and the residual stress evolution in the wetting, drying and rewetting stages of porous silicon using x-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy. A reversible capillary effect and an irreversible oxidation effect are the driving forces for the residual stress evolution. The lattice expansion of the porous-silicon layer is observed to decrease slightly by x-ray diffraction and the tensile residual stress increases rapidly by micro-Raman spectroscopy, with the change of about 82 MPa for the oxidation effect and the change of 2.78 GPa (enough for cracking) for the capillary effect. Therefore, the capillary effect plays a major role in the residual stress evolution in the stages. A simple microscopic liquid-bridge model is introduced to explain the capillary effect and its reversibility. The capillary emergence has a close relation with a great deal of the micro-pore structure of porous silicon.     

渗滤的系统及其分析及其数学模型

对于两相体系和多相体系有多孔介质中的渗滤分离过程进行数学模拟，并求解出这一过程．     

二维多介质欧拉自适应网格方法研究

要对聚能和流场的剧烈变化进行模拟，欧拉方法具有明显的优势。而在这些方面的研究中，所涉及的流场十分复杂，为达到所需的计算精度，必须采用很密的网格才能以较好的分辨率去模拟流场的剧烈变化部分和介质的界面，特别是大空间尺度流场局部细节的数值模拟，有些问题如果用统一网格计算，即使最快的计算机也不能提供足够的分辨率。所以目前计算机的内存和速度限制了整个计算区域的网格细分程度，对计算区域作局部的网格自适应细分、用大的动态空间分辨率划分流场是必要的和迫切的。     

均匀分层介质中标准矢量波函数的构成

研究了在均匀分层介质中构成标准矢量波函数的必要条件。研究结果表明在均匀分层介质中构成标准矢量波函数一般需遵循Morse-Feshbach判据外，领示矢量只能选取与折射率变化方向一致的那根坐标轴单位矢量。但在某些特定的条件下，对领示矢量的选取条件可以放宽为只需遵循Morse-Feshbach判据即可。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分离及其同时测定

本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集,而以碳酸钠-碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质,有效地分离了酸性介质中Cu(Ⅱ)、Sb(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Tl(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、In(Ⅲ)的重叠溶出峰,实现了多离子的同时测定。