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11.
12.
用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理,发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8.67),络合物在-316mV处有一吸附还原峰,其峰电流与镍浓度在0.001~0.010μ/mL范围内呈现良好的线性关系,其最低检出浓度为0.0005μg/mL。 相似文献
13.
采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计 相似文献
14.
JIN Lu 《数学年刊B辑(英文版)》2004,25(4):483-492
A unicity theorem concerning the total derivative for entire functions of several complex variables is proved. 相似文献
15.
复Finsler流形上的Koppelman-Leray-Norguet公式 总被引:1,自引:1,他引:0
利用不变积分核(Berndtsson核),复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,研究复Finsler流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的积分表示,得到了(p,q)型微分形式的Koppelman-Leray-Norguet公式和■-方程的解.作为应用,利用复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,给出了Stein流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的Koppelman- Leray-Norguet公式以及■-方程的解,并且得到了Stein流形上实非退化强拟凸多面体上(p,q)型微分形式的积分表示式和■-方程的解. 相似文献
16.
17.
本文报道了用吸附溶出伏安法测定毗喳酮.以悬汞电极为工作电极,在Na}B,O,-NaOH介质(pH=10)中,毗喳酮产生一尖锐的吸附还原峰,E,二一1. 29V (vs. SCE ),峰电流与毗喳酮浓度在2. 0 X 10-'-8. 0 X 10-smol " L-’范围内呈良好的线性关系.检测限为2. 0 X 10-0mol " L-'(富集90s).本文对毗喳酮在悬汞电极上的电化学行为进行了探讨,对测定毗喳酮的最佳条件进行了详细的选择,利用本法测定了片剂中毗喳酮含量,结果满意. 相似文献
18.
复共线影响点的主成分诊断 总被引:1,自引:0,他引:1
赵进文 《数理统计与应用概率》1995,10(2):22-28
本文给出了复共线影响点的主成分诊断准则,举例说明了所给准则的有效性。 相似文献
19.
对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析以以半导体光放大器(SOA)为基础的对称马赫-曾德尔干涉仪(MZI)解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播(CPMZ)与同向传播(TPMZ)两种工作模式下的开关特性。研究表明:控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小,是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时,如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间,控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化;当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时,即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间,峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时,控制脉冲应尽可能窄,且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比,而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。 相似文献
20.
王兴元 《非线性动力学学报》2002,9(1):49-55
为探讨Mandelbrot集(简称M集)的外部结构,Philip曾提出了“区域分解”和“角度分解”方法。本文推广了这两种方法,提出了等势线和色彩调配法,并利用这四种方法构造了复映射z←z^w c(w=α iβ)的广义M集的外部结构图。研究表明广义M集的外部结构具有分形特征,其断裂的原因是主幅角选取的不连续性。 相似文献