酰胺荚醚类萃取剂结构对Gd(Ⅲ)萃取性能的影响

本文合成了4种新型不对称酰胺荚醚萃取剂:N,N′-二甲基-N,N′-二苯基-3-氧戊二酰胺(DMDPhDGA)、N,N′-二甲基-N,N′-二己基-3-氧戊二酰胺(DMDHDGA)、N,N′-二甲基-N,N′-二辛基-3-氧戊二酰胺(DMDODGA)、N,N′-二甲基-N,N′-二癸基-3-氧戊二酰胺(DMDDDGA)。以氯仿为稀释剂,研究了N,N,N′,N′-四丁基-3-氧戊二酰胺(TBDGA)及上述4种萃取剂从硝酸体系中萃取Gd(Ⅲ)的反应机理,得出萃取能力顺序为:DMDHDGA>DMDDDGA>DMDODGA>DMDPhDGA>TBDGA。考察了水相酸度和萃取剂浓度对萃取分配比的影响,得出萃合物中有3个萃取剂分子同时参与配位;并结合红外光谱解释了萃取剂结构与萃取性能的关系。     

应用热脱附-气相色谱质谱法测定空气中化学毒剂模拟剂

采用Tenax-TA热脱附采样管(Tube)主动采样,以热脱附仪结合气相色谱质谱(GC-MS)联用仪为分析手段,建立了空气中4种化学毒剂模拟剂(1,2-二氯乙烷、N,N-二甲基乙酰胺、磷酸三甲酯和甲基磷酸二甲酯)的快速分析方法。结果表明,4种模拟剂在1～100 ng/tube范围内线性关系良好,相关系数均大于0.99,平均加标回收率为82%～112%,检出限为0.13～0.26 ng/tube,相对标准偏差小于15%。     

委内瑞拉减压渣油供氢热转化基础研究

在热反应装置上考察了委内瑞拉合成原油减压渣油的供氢热转化与常规减黏裂化两种过程,利用显微镜观察了这两种反应体系的相态变化规律,研究了两种生成油的安定性并对两种残渣油的四组分组成进行了分析。结果表明,在反应温度为425℃时,随着反应时间的延长,采用显微镜能够清晰观察到无定型小体形成、长大及聚集的相态变化历程,两种过程残渣油的胶质与沥青质含量均呈下降趋势;相比常规减黏裂化,供氢热转化过程中供氢剂能够抑制无定型小体的长大、延缓相分离、抑制焦的形成、改善生成油安定性。     

高效液相色谱-串联质谱法测定环境水样中多种杀菌剂残留量

建立了环境水样中多种杀菌剂残留量的高效液相串联质谱(LC-MS/MS)分析方法。通过氟吗啉和烯酰吗啉的光照实验,研究了其顺反异构体的转化规律,确定了它们的色谱行为。优化了固相萃取(SPE)过程参数,选择HLB为固相萃取柱,4 mL甲醇水(12:88,V/V)为淋洗液,3 mL甲醇为洗脱液。分析了环境水样中多种杀菌剂的基质效应影响,采用基质匹配曲线消除了基质效应。采用液相色谱分离,正离子多反应监测模式进行质谱分析。多种杀菌剂的方法定量限为0.003～0.03μg/L(环酰菌胺0.3μg/L)。在各自分析物的线性范围内,回收率为70.2%～108.9%,相对标准偏差均小于16.7%。本方法具有快速、准确、灵敏度高、选择性好等特点。在辽宁地区环境水样检测中,蒲河水检出嘧菌酯0.051μg/L、精甲霜灵0.217μg/L和烯酰吗啉0.05μg/L,浑河水检测出烯酰吗啉0.004μg/L。     

超声辅助提取高效液相色谱法检测小麦籽粒中杀雄嗪酸的残留

建立了高效液相色谱法(HPLC)检测小麦籽粒中化学杂交剂SQ-1主成分杀雄嗪酸残留的方法。以75%乙醇为提取剂,正反萃取净化;采用Diamonsil C18不锈钢柱,以甲醇-0.5%(NH4)2HPO4溶液(60∶40,V/V,pH 2.5)为流动相,检测波长283 nm,流速1.0 mL/min。结果表明:化学杂交剂SQ-1主成分杀雄嗪酸在0.75～25.0 mg/L范围内线性关系良好,相关系数r=0.9999,在3个添加水平(1.0,5.0和10.0 mg/kg)范围内,平均加标回收率在84.2%～95.0%之间,相对标准偏差为1.0%～3.3%,检出限为0.075 mg/L。     

含氟体系下高性能丝光沸石分子筛膜的制备及其性能

采用热涂-浸渍法在大孔α-Al2O3载体上形成薄且致密的晶种层,然后在不添加有机模板剂的含氟条件下二次水热生长法制备了高性能丝光沸石分子筛膜,考察了NaF含量、硅/铝比对丝光沸石分子筛膜形貌和性能的影响.将摩尔组成为6Na2O:1.2Al2O3:30SiO2:780H2O:1.5NaF条件下合成的丝光沸石分子筛膜用于渗透汽化分离91.5%乙醇/水体系,在渗透汽化温度70°C、真空度为400Pa条件下,分离因子和通量分别达到了6872和0.51kg/(m2·h);另外,在分离异丙醇/水、乙酸/水体系时,渗透侧水浓度达到了100%(在色谱检测极限范围内),该分离系数是目前报道的丝光沸石分子筛膜分离的最佳值,并在乙酸浓度为1mol/L的乙醇水溶液中表现出良好的耐酸性.该膜有望作为膜反应器在乙酸乙酯等酯类的生产中大大提高转化率.     

阳离子表面活性剂-阴离子聚合物为模板剂合成硅基介孔材料

以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵和阴离子水溶性聚丙烯酸钠 (NaPAA) 混合物为模板剂, 在较高温度和碱度下采用 St?ber 法合成介孔材料. 通过调变助剂乙醇含量、晶化温度、晶化时间、NaPAA 含量和分子量等制得结构和形貌不同的硅基介孔材料. 研究表明, 这是 NaPAA 和乙醇共同作用的结果.     

Theoretical Study on the Reaction of Thymine with Iodomehane in the Water Phase

The reaction mechanisms of carcinogenic methylating agent iodomethane (MeI) with keto and enol tautomers of thymine (K- and E-thymine) were studied by using the B3LYP/6-311+G (d, p) method in water phase. The solvent effects were examined using the polarizable continuum model (PCM). Specifically, PCM single-point calculations at the same level of theory were performed in acetone and CCl4 that represent a range in nonpolarity. The calculated results show that the reaction of K-thymine with MeI is a two-step mechanism, whereas that of E-thymine is a one-step mechanism. Our calculations reveal that K-thymine is appreciably more stable than the enol form in the water phase or in the two solvents. The K- and E-form reaction barriers are 135.6 and 222.1 kJ/mol, respectively in water phase. These findings indicate that the reactions mentioned above could not occur efficiently in biological media in the absence of catalyst. Our conclusions are in agreement with the previous studies on the reactions of guanine with methyl chloride and methyl bromide.     

高活性晶面锐钛矿型TiO2纳米材料的溶剂热法制备及其光催化性能

以钛酸四丁酯为钛源,通过温和的溶剂热法制备了{101}/[111]-晶面共暴露(乙酸-TiO_2和无控制剂-TiO_2,即HAc-TiO_2和NO-TiO_2)和{101}/{010}/[111]-晶面共暴露(甲酸-TiO_2和氢氟酸-TiO_2,即FA-TiO_2和HF-TiO_2)的锐钛矿型TiO_2纳米材料,对其晶体结构、形貌、比表面积、孔径分布、光学性质以及载流子(电子和空穴)的迁移和重组进行了表征,并对其光催化性能和循环性能进行了评价。研究表明,所制备的{101}/{010}/[111]-晶面共暴露的HF-TiO_2在光催化降解罗丹明B溶液(或对硝基苯酚溶液)的过程中显示了最高的光催化活性,其降解效率为97.35%(或68.57%),分别是FA-TiO_2、HAc-TiO_2、BD-TiO_2和NO-TiO_2的1.06倍(或1.09倍)、1.18倍(或1.14倍)、1.35倍(或2.33倍)和4.88倍(或5.80倍),这归因于其最高的结晶性、较大的表面能、优越的表面原子结构和表面电子结构、最低的光致发光强度、最快的电荷转移速率和最小的载流子复合率。     

用于反应堆中子/γ 射线混合场测量的涂硼电离室性能

近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一. 研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得: 当涂硼电离室的工作电压在700 V以下时,漏电流小于1.0 pA; 用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500 V, 坪斜为3.72×10^-4 V^-1;当涂硼电离室的工作电压为400 V时, 对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关, 将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA. 用¹³⁷Cs和⁹⁰Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为 1.0---2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显. 电离室中子探测灵敏度达1.0×10^-15 Acm²s量级, γ射线探测灵敏度达9.0× 10^-22 Acm²s·eV^-1量级. 这种涂硼电离室漏电流小、灵 敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.