一种新型有机电致微腔结构的双模发射

采用结构Glass／DBR／ITO／NPB／NPB：Alq／Alq／Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层，为了便于对比，在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件，发现两种器件的发光光谱有很大不同，器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高，这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒，提高器件的复合效率，从而提高了器件的发光性能，实现了微腔双模发射，且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。     

三角B\''{e}zier曲面和四边B\''{e}zier曲面之间的相互转化

B\'{e}zier曲面有两种不同的形式:三角B\'{e}zier曲面和四边B\'{e}zier曲面,它们有着不同的基底和不同的几何拓扑结构, 但是它们也有很多共同的性质,因此三角B\'{e}zier曲面和四边B\'{e}zier曲面之间的相互转化就成为CAGD 里一个重要研究课题.在本文中, 我们用函数复合的方法实现两者之间的相互转化.被复合的两个函数, 一个用Polar形式表示,另一个用常见的Bernstein基形式表示.     

有关Fuzzy命题否定的数学表示

本文在[1]的基础上,对Fuzzy命题的否定形式的数学表示做了更进一步的研究,使其更符合自然语言(汉语)的规律。     

球上Dirichlet空间的生成核与复合算子

本文的记号沿用〔1〕中的.令B”CC“是单位球,:、。于户,:·匆=习二叭. ‘.1Vf=(f二,,…,了:。),其中介‘=af丽’d。(:)为C“=RZ”上不一测度,且使v(B“)二1 .B”上Diriehlet空间的定义如下〔2〕: D“=={f{l在B,上全纯,f(0)=o,}ljl}’==J,.v了·示。(2)之下成为一个H*lbe·t空间.},.vj.初·相似文献   

关于具有常平均曲率和数量曲率超曲面的Mbius几何的一个注记

设x:M→Sn 1(n≥3)是n 1-维单位球中的无脐点超曲面, Mobius不变量G,Φ,A和B分别表示x的Mobius度量, Mobius形式, Blaschke形式和Mobius第二基本形式．本文证明了如果x的Mobius形式Φ平行,并且A λG μB=0,其中λ,μ分别是定义在M上的光滑函数,那么Φ=0,由此及李海中、王长平(2003年)文献中的分类定理给出了Sn 1中具有平行的Mobius形式及满足A λG μB=0的超曲面的分类．此结果推广了他们及张廷枋(2003年)文献中的结果．     

一维问题的一种积分形式的流量重构算法

1引言我们考虑如下一维二阶椭圆边界值问题(-(β(x)p′)(x))′=f(x),x∈(a,b) p(a)=p(b)=0(1))其中β=β(x)是一恒正函数,且β∈H~1(a,b),f∈L~2(a,b)．事实上,在此条件下,我们可保证p∈H~2(a,b)(见[1],[2])．(1)之弱形式为：求p∈H_0~1(a,b)使得a(p,q)=(f,q),(?)q∈H_0~1(a,b),(2)其中a(p,q)=(?)_a~bβp′q′dx,(f,g)=(?)_a~bfqdx．给定(a,b)的一个分割α=x_0＜x_1＜…＜x_(n-1)＜x_n=b,令h=(?)(x_i-x_(i-1)),(?)_i表示通常相应于节点x_i的形状函数,即(?)_i是连续的分段线性函数且满足(?)_i(x_k)=δ_(ik),这里δ_(ik)=(?)i,k=0,1,…,n．又记V_h~0=span{(?)_1,(?)_2,…,(?)_(n-1)),取V_h~0作为p的逼近空间,则求解(1)的标准有限元格式为：求ph∈V_h~0使得     

模糊神经网络在复合地基沉降量预测中的应用

复合地基后期沉降变形对于建筑物设计及安全具有重要意义,针对通过长期沉降观测以得到复合地基的最终沉降需要耗费较多资源的问题,提出了一种基于模糊神经网络的预测方法.该方法考虑沉降变化过程有较大的随机性和模糊性,直接将样本数据进行模糊化,所得的模糊数代表了样本点集与控制点集中各分量之间的相关度,并依此建立模糊BP神经网络进行学习和估算.实验结果表明了该方法对沉降进行预测是可行与有效的,且在相对误差的有效控制方面优于BP网络方法与灰色方法.     

关于Smale一个猜想的推广

本文对ＳｍａｌｅＳ．的一个猜想作了推广，证明了对Ｐ＞１，文［２］中的定理１没有“Ｌ^ｐ形式”     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

半导体中的双激子压缩态及其复合辐射

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。 关键词：