水溶液中降冰片二烯衍生物敏化学异构化反应

研究了水溶液中双环［２，２，１］－２，５庚二烯－２，３－二羧酸在吖和吖啶橙的敏化作用下的光诱导价键异构化反应。量子效率分别为０，３３（ＡＹ）和０，３１（ＡＯ）。     

磺胺甲恶唑在二硫化钼纳米片修饰电极上的电化学行为

采用了研磨后超声和离心分离方法制备了二硫化钼纳米片,通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对不同离心速度分离的二硫化钼纳米片进行了表征。使用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)在磺胺甲恶唑溶液中对二硫化钼纳米片修饰的玻碳电极进行了电化学行为研究。结果显示,磺胺甲恶唑在二硫化钼修饰电极的循环伏安图上有一对氧化还原峰。其峰电流值与扫描速度的平方根成正比,是扩散控制过程。DPV扫描结果显示,磺胺甲恶唑的峰电流与其浓度之间存在着明显的线性关系。研磨超声方法制备出的二硫化钼纳米片层材料在电极上能够加速电子的转移和传输,从而有效提高峰电流值,为进一步研制准确测定磺胺甲恶唑电化学传感器提供了一种可选择的材料和电化学分析方法。     

激光聚焦与激光打微孔实验设计

利用激光束的高亮度、高方向性、高单色性等特点,让固体激光器所产生的激光依次通过光阑、准直镜组、聚焦透镜来获得光斑半径小、强度高的光束,并用其对金属靶材进行加工,得到了优于机械打孔的微孔.     

基于共面传输线的太赫兹片上系统的研究

太赫兹片上系统是将太赫兹的产生、传输和探测都集中在一个几平方厘米的基片上,线宽及间距达到微米量级,具有集成化程度高、系统尺寸小、稳定性好以及操作简便的特点,有利于与微量样品检测技术相互结合。研究采用HFSS软件对共面波导和共面带状线两种太赫兹共面传输线进行了仿真计算,通过优化传输线的宽度、长度、基底的厚度等关键几何参数确定出最佳的传输线结构;研究工作重点对太赫兹波段的共面带状线结构进行了设计和优化,实现了在介电常数很小的BCB基底上的低损耗传输。所得到的最佳结构参数为线宽及间距均为20μm,此结构为后续片上系统实物芯片的制作提供了参数依据。     

高柔性PVA-co-PE纳米纤维基复合导电透明膜的制备及性能研究

将具有独特叠层结构的聚乙烯醇-聚乙烯共聚物纳米纤维膜材料与环氧树脂复合,并引入紫外光吸收剂2,4-二羟基二苯甲酮,利用多相之间的强界面相互作用,制备得到了具有高柔韧性、高透明度和高紫外光过滤效果的复合透明膜.在该柔性基底上,通过压力转移法相继复合银纳米线层和还原氧化石墨烯层,形成了相互渗透的导电网络.最终得到面电阻为147Ω/Sq、可见光透过率约80%、紫外吸收率达90%的透明导电复合膜.该导电复合膜显示出良好的拉伸和弯曲性能,并在循环弯曲变形测试下保持良好的电学稳定性.     

后腹腔镜下肾部分切除术后发生尿瘘的危险因素分析

目的 分析和探讨后腹腔镜下肾部分切除术后发生尿瘘的危险因素。方法统计和分析2004-10-2013-06 行腹 腔镜下经后腹膜路径肾部分切除术后发生尿瘘的128 例肾肿瘤患者的临床资料,尿瘘严格定义为手术2d 后仍从后腹膜引流管持续引流出尿液。结果术后有14 例（10.9%）患者发生尿瘘。发生尿瘘的患者中10 例（71.4%）未行CTA 检查,术中平均出血量（232.3±86.7）ml,平均肾动脉阻断时间（28.2±7.5）min,平均住院时间（13.1±2.1）d,9 例（64.3%）术中发现集合系统破损。单因素分析提示年龄（P =0.1102）、糖尿病（P =0.0445）、肿瘤内生型生长（P =0.0835）、术前是否行CTA 检查（P=0.0137）、集合系统损伤（P=0.0935）、肾动脉阻断时间（P =0.1225）及术中出血量（P=0.0045）是发生尿瘘的危险因素;多因素分析提示糖尿病（P =0.0381）、术前是否行CTA 检查（P =0.0433）及术中出血量（P =0.0155）是术后发生尿瘘的独立危险因素。结论糖尿病、术中出血 量及术前是否行肾脏CTA 检查是后腹腔镜下肾部分切除术后发生尿瘘的独立危险因素。减少术中出血有利于术者获得清晰的操作视野,有效缝合破损的集合系统,从而防止尿瘘的发生。     

退火温度对TiO2/CdSe纳米片异质结薄膜光电性能的影响

采用水热法在FTO上制备（001）高活性晶面主导的TiO₂纳米片薄膜,利用循环伏安法在TiO₂纳米片薄膜上沉积CdSe颗粒,制备了TiO₂/CdSe纳米片异质结薄膜。分别在150、250、350、450 ℃,氩气保护气氛中对样品进行退火。利用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、X射线光电子能谱分析仪（XPS）、紫外-可见（UV-Vis）分光光度计以及电化学工作站对不同温度退火后的TiO₂/CdSe纳米片异质结薄膜的微观形貌、晶体结构、光电化学性能进行表征和测试。结果表明：六方相CdSe纳米颗粒均匀包覆在TiO₂纳米片表面,直径30 nm左右;随着退火温度的升高CdSe纳米颗粒长大,形成光滑的CdSe薄膜,且晶化程度提高;TiO₂纳米片表面的Se元素与Cd元素发生氧化;TiO₂/CdSe纳米片异质结薄膜对可见光的吸收光谱发生红移,禁带宽度逐渐减小。光电化学性能测试表明随着退火温度的升高,TiO₂/CdSe纳米片异质结薄膜的光电流密度显著提高,开路电压减小,但由于SeO2和CdO的出现,导致填充因子减小,影响光电转换效率的提高。在本实验条件下,TiO₂/CdSe纳米片异质结薄膜的最佳退火温度为150 ℃,填充因子为0.77,光电转换效率达到3.12%。     

HPLC法研究肾叶山蚂蝗清除DPPH自由基能力

建立了以HPLC法对傣药-肾叶山蚂蝗甲醇提取物清除二苯基苦基肼自由基(DPPH.)能力的方法,通过实验得出最佳的色谱条件:色谱柱为AgilentEclipse XDB-C18(4.6×150 mm,5μm),流速为1.0 mL/min,检测波长517 nm,柱温箱温度为20℃,进样体积20.0μL,流动相为不同比例的甲醇和水的混合液。在此条件下测定了DPPH.的清除率为50%时抗氧化剂的质量浓度(IC50)值,肾叶山蚂蝗甲醇提取物的IC50为1.51 mg/mL。     

改进片铸与烧结技术制备高性能钕铁硼磁体的研究

通过优化合金成分设计与改进速凝片铸技术、烧结技术,应用国内通用的工业生产烧结钕铁硼磁体的各类原材料,在工业生产线上实现了45UH高性能烧结钕铁硼磁体的批量生产。SEM观察和XRD分析结果表明:磁体具有比较高的取向度;其显微组织致密、精细而均匀,平均晶粒尺寸约为5μm。45UH烧结钕铁硼磁体的典型磁性能为Br=1.363 T,Hcb=1060 kA.m-1,Hcj=2140 kA.m-1,Hk=1625 kA.m-1,(BH)max=366.0 kJ.m-3;其Hcj/79.6 kA.m-1+(BH)max/7.96 kJ.m-3=72.8。在295～453 K温度区间,其剩磁与内禀矫顽力的温度系数分别为-0.108%.K-1和-0.486%.K-1。当L/D=0.7时,在473 K保持2 h磁体开路磁通不可逆损失为4.1%左右。批量生产的45UH烧结钕铁硼磁体,其常温磁性能优异,温度稳定性良好。