利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

利用电泳技术在高熔点金属基底Ta，Mo和W上制备MgB₂超导厚膜.厚膜中的MgB2晶粒结合紧密，粒度小于1μm，呈随机取向生长.电阻测量表明沉积在Ta，Mo，W上的MgB₂厚膜的超导起始转变温度分别为36.5K，34.8K，33.4K，对应的转变宽度为0.3K，1.5K和2.0K.三种基底上制备的MgB₂厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况 基本相同，MgB₂/Mo厚膜的临界电流密 关键词： 2超导厚膜')" href="#">MgB₂超导厚膜 电泳 金属基底     

三思维切入，多方法解决——一道向量题的破解

在破解平面向量的综合应用问题中,经常借助基底、几何、坐标这三个不同思维视角来合理切入,从不同角度利用对应的技巧方法来突破,合理化归与转化,巧妙推理与运算,正确破解相应的问题,结合实例,就平面向量综合应用问题的破解加以剖析,引领并指导解题研究.     

纳米银碗阵列结构的高效制备及荧光增强性能

报道了一种以自组装单层聚苯乙烯纳米微球阵列为模板, 通过真空热蒸镀银纳米粒子高效制备大面积银碗阵列结构的方法. 测试结果表明, 制得的银碗阵列结构为微纳米复合分级结构, 银碗由平均粒径为10 nm的银纳米粒子组成. 紫外-可见吸收光谱测试结果表明, 银碗阵列结构表面具有银纳米粒子的局域表面等离子体共振吸收峰. 将荧光分子N,N'-二正丁基喹吖啶酮(DBQA)分别蒸镀到普通银膜和银碗阵列结构表面并测试了荧光光谱. 结果表明, 在银碗阵列结构表面的荧光分子强度得到了显著增强, 说明制备的银碗阵列结构是优良的荧光增强基底.     

液气界面张力垂直分量引起的基底弹性变形

Young方程是毛细理论和润湿的重要方程之一．但是,该方程只描述了3个界面张力的水平分量之间的平衡与接触角的关系,而对液气界面张力垂直分量未作任何描述．现在,随着软材料的广泛应用,该垂直分量将引起基底的表面变形,并在微流体系统的制造过程中起到重要作用,这已是该研究领域的共识．综述了关于表面变形这一问题在理论分析,实验研究和数值模拟等方面取得的进展．而且,还讨论了由垂直分量引起的表面变形对液滴润湿和铺展行为、微悬臂梁的弯曲、弹性毛细现象、电弹性毛细现象等的影响．不仅对该问题的历史发展和目前的研究进展进行了简单的综述,并且也针对后续的研究提出了几点建议．     

模拟深海压力环境下有机涂料/基底金属腐蚀电化学行为研究Ⅰ.海水压力对水在涂层中传输行为和涂层防护性能的影响

于实验室模拟深海压力环境,应用电化学阻抗谱(EIS)研究了有机涂料/基底金属的腐蚀电化学行为.分析海水压力对水在涂层中传输行为和涂层防护性能的影响.结果表明,与常压海水相比,在高压海水(3.5MPa)条件下,该涂层具有不同的电化学阻抗特征,主要表现在高压海水加快了涂层的吸水过程,增大了涂层的吸水率,从而加速了涂层的腐蚀失效过程,致使防护性能变差.     

Low voltage substrate current： a monitor for interface states generation in ultra-thin oxide n-MOSFETs under constant voltage stresses

The low voltage substrate current （Ib） has been studied based on generation kinetics and used as a monitor of interface states （Nit） generation for ultra-thin oxide n-MOSFETs under constant voltage stress. It is found that the low voltage Ib is formed by electrons tunnelling through interface states, and the variations of Ib（△Ib） are proportional to variations of Nit （△Nit）. The Nit energy distributions were determined by differentiating Nit（Vg）. The results have been compared with that measured by using gate diode technique.[第一段]     

云母表面金纳米颗粒单层膜的制备

近年来 ,随着纳米科技的兴起 ,纳米尺度的金颗粒以其独特的光学和电学性质在许多领域表现出潜在的应用价值 ,引起人们浓厚的研究兴趣 .金纳米颗粒单层膜在表面增强拉曼基底及纳米刻蚀等方面有着广泛的应用 [1,2 ] .以往人们多用双官能团硅烷化试剂对硅氧化物基底 ,如玻璃和石英等进行表面修饰 ,获得氨基、巯基或氰基等修饰的表面 ,再利用金纳米颗粒与上述功能团之间的化学相互作用 ,来制备金纳米颗粒单层膜 [3,4 ] .Fig.1　 Crystal structure of muscovite mica云母为层状结构的硅铝酸钾 (晶体结构示于图 1 ) ,表层为 0 0 0 1晶面 ,K+ 离…     

Gd2CuO4薄膜与Si, SiO2/Si基底界面相互作用研究

采用XRD和俄歇电子能谱（AES）等技术研究了钙钛矿型Gd2CuO4薄膜与基底Si和SiO2/Si的界面相互作用,发现衬底对Gd2CuO4薄膜的晶化特性有很大影响,以单晶Si为基镀时,Gd2CuO4薄膜经600℃热处理1h即可形成钙钛矿型晶体结构,而以SiO2/Si为基底时,经700℃热处理1h能形成较完善的钙钛矿型晶体结构,Gd2CuO4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大,热处理时间对晶粒度则影响较小,AES深度剖析表明,形成的薄膜组成均匀,在界面上有一定程度的扩散,以Si为基底时,Gd2CuO4与基底Si相互扩散,以SiO2/Si为基底时则主要是薄膜中Gd,Cu向SiO2层中的扩散,AES线性分析表明,在薄膜与基底的界面上,各元素的俄歇电子动能发现位移,表明基底作用使界面上元素的化学环境发生了变化。     

传递矩阵法分析中心荷载下对称刚性板地基沉降及反力

利用传递矩阵法对横观各向同性地基上受中心荷载的对称刚性板问题进行了分析,文中分析了坚向的弹性模量Ev水平的弹性模量Eh、坚直面上的剪切模量Gv以及Eh和Ev的比值n、Gv和Ev．的比值m、水平向应力引起的正交水平向应变的泊松比vh、竖直向应力引起的水平向应变的泊松比Vch对沉降和基底反力的影响;同时采用成层地基进行分析,将其计算结果与常规方法中采用对弹性模量和泊松比在计算深度内按深度加权平均的计算结果进行比较;可对比看出传递矩阵法更符合地基的实际情况,结果也趋合理。