首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   29487篇
  免费   6344篇
  国内免费   14254篇
化学   23629篇
晶体学   555篇
力学   2075篇
综合类   919篇
数学   5306篇
物理学   17601篇
  2024年   281篇
  2023年   940篇
  2022年   1192篇
  2021年   1224篇
  2020年   921篇
  2019年   1048篇
  2018年   679篇
  2017年   1046篇
  2016年   1109篇
  2015年   1332篇
  2014年   2553篇
  2013年   2052篇
  2012年   2185篇
  2011年   2383篇
  2010年   2155篇
  2009年   2341篇
  2008年   2805篇
  2007年   2175篇
  2006年   2334篇
  2005年   2338篇
  2004年   2391篇
  2003年   1953篇
  2002年   1647篇
  2001年   1669篇
  2000年   1221篇
  1999年   1055篇
  1998年   967篇
  1997年   814篇
  1996年   778篇
  1995年   723篇
  1994年   754篇
  1993年   562篇
  1992年   582篇
  1991年   477篇
  1990年   415篇
  1989年   476篇
  1988年   187篇
  1987年   105篇
  1986年   75篇
  1985年   49篇
  1984年   28篇
  1983年   29篇
  1982年   25篇
  1981年   1篇
  1980年   3篇
  1979年   3篇
  1959年   2篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
 接触性摩擦是一个物体表面上的原子“突起”滑过另一个物体表面的原子“凹陷”产生的。康奈尔大学的赛佩·库恩(SeppeKuehn)和同事,利用0.25毫米长、几千个原子厚的单晶微悬臂梁,观测相距1纳米的两表面间的非接触性摩擦。使悬臂梁与一个表面垂直,并使其向下做如同钟摆一样的运动,在这样的运动状态下调整悬臂梁,悬臂梁将因感应到下方表面的摩擦而慢下来。令人吃惊的是,非接触性摩擦力依赖于样本的化学性质。通过研究不同聚合材料的化学依赖性,这几位研究者直接检测了因样本中分子运动导致弱电场波动而产生的摩擦。  相似文献   
22.
烟气中Hg的氧化机理的研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文对Hg与Cl2在烟气中的氧化反应进行了热力平衡计算和动力学计算。平衡计算的结果表明有CI元索存在时Hg的氧化率为100%,而在相同的条件下动力学计算纺果为Hg的氧化率在20%~80%之间变化,与实验结果吻合。实际的氧化反应是一种超平衡状态,不能达到理想的平衡状态。因此应采用动力学与热力平衡分析相结合的方法研究Hg在烟气中的反应机理。同时,计算结果显示Cl含量对Hg的氧化率的影响很大.  相似文献   
23.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E11N.当N掺杂浓度达到 关键词: 压电调制反射光谱(PzR) xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜 分子束外延(MBE)  相似文献   
24.
使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合.  相似文献   
25.
郎晓丽  吴式枢 《中国物理 C》2006,30(Z2):224-226
采用带自相互作用的夸克介子耦合模型(QMC)计算了核物质的一些性质, 得到 密度依赖的标量介子与核子的耦合常数, 并把该耦合常数的变化趋势引入到VDD和SDD中, 即把核子结构的信息引入到了QHD中. 数值结果表明核子的内部结构对核物质性质有显著影响.  相似文献   
26.
红外光谱表明,一步法和两步法制备的Nafion-Os(bpy)2 3(X=3)修饰膜明显不同,说明不同制备方法强烈影响膜的微结构.同时还显示一步法制备的X=3和X=20膜红外光谱特性也有明显不同.  相似文献   
27.
28.
Clifford分析中无界域上正则函数的边值问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
在引入修正Cauchy核的基础上,讨论了无界域上正则函数的带共轭值的边值问题:a(t)Φ (t) b(t)Φ (t) c(t)Φ-(t) d(t)Φ=g(t).首先给出了无界域上正则函数的Plemelj公式,然后利用积分方程方法和压缩不动点原理证明了问题解的存在唯一性.  相似文献   
29.
由中华人民共和国科学技术部批准,广东省科学技术厅主办,广东省对外科技交流中心,广东省分析测试协会,中国广州分析测试中心,广东计量协会,广东国际科技贸易展览公司承办的第七届中国(广州)国际分析测试与科教仪器设备展览会暨技术研讨会,第五届中国(广州)国际生物技术展览会暨技术研讨会。于2006年5月30日~6月1日在广州市(流花路)中国出口商品交易会展馆举行。主要内容为分析测试、高教仪器与实验室设备、生物技术、医学诊断与临床检验、环境监测、食品检测等。  相似文献   
30.
可变抽样区间的非参数控制图   总被引:1,自引:1,他引:0  
最近几年一些学者研究了可变抽样区间的质量控制图。Amin等提出了可变抽样区间(VSI)的非参数控制图———符号 (Sign)统计量图〔1〕。本文在此基础上研究位置VSI符号控制图的制定方法 ,并设计离散VSI符号控制图。符号控制图的优点是对非正态总体亦可应用 ,并且不需要过程方差的信息。本文将所设计的VSI符号控制图同固定抽样区间 (FSI)的常规图作比较 ,并举实例说明符号控制图的应用  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号