三羟甲基甲胺、季戊四醇及其二元体系固-固相变的变温红外光谱研究

利用傅里叶变温红外光谱仪分别测定了三羟甲基甲胺（TAM）、季戊四醇（PE）及其二元体系变温红外谱。实验表明，多元醇分子中羟基吸收峰随温度升高耐发生位移向高波数移动，此结果既能反映多元醇及其二体系固－固相变的温度区间，又与转变热相对应，从而揭示了多元醇及其二元体系固－固相变贮热的机理。     

室温下压致铁钴镍合金的bcc→hcp相变

 本文采用高压X光衍射方法在金刚石对顶压砧中在位地（in situ）研究了Fe₆₈Co₂₄Ni₈（wt%）合金在室温下的压致bcc→hcp结构相变和直到40.5 GPa的等温压缩行为。实验结果表明该合金在常压下为bcc结构，晶格常数a₀=(0.287 0±0.000 1) nm，体积V₀=(7.119±0.007) cm³/mol，密度ρ₀=(7.981±0.008) g/cm³；在20.9 GPa附近出现bcc→hcp结构相变，两相共存压力区约10 GPa，在此区域内有晶面间距d(002)_hcp=d(110)_bcc，且原子平面(002)_hcp//(110)_bcc，hcp相比bcc相体积减小(0.33±0.02) cm³/mol；高压相hcp结构的晶格参数比值c/a=1.608±0.004；相变后原子配位数的增加使得hcp相(002)平面内及(002)平面间的最近邻原子间距比bcc相最近邻原子间距分别增大约1.6%和0.5%；用Murnaghan状态方程对实验数据进行最小二乘法拟合，得到bcc相B₀=(130±13) GPa，B₀'=12.6±0.5；hcp相V₀=(6.62±0.04) cm³/mol，B₀=(243±21) GPa，B₀'=6.8±0.3；对于该合金的bcc→fcp相变时的结构转变机制做了详细的讨论。     

一种可获正负图像的重氮感光材料

重氮感光材料在我国已有三、四十年的历史,因其成本低,使用方便,在晒图、幻灯、缩微复制、印刷电路、印刷制版和二底图等方面得到广泛应用.国外对重氮感光材料的研究非常重     

混合流体浸润相变的研究(Ⅲ)——二元系统的四相共存态

本文讨论二元Sullivan系统的一个特殊状态——二元四相系的浸润相变性质,该系统的许多性质可以通过对两个二元二相系的讨论而得到。结果表明:这一系统同时存在一级相变和二级相变。 关键词：     

事件空间中二阶非Четаев型非完整系统的守恒律

研究事件空间中二阶非чeTaeB型非完整系统的守恒律。提出事件空间中的Jourdain原理，引入事件空间中的Jorudain生成元，给出无限小变换下的Jourdain原理的不变性条件。在一定条件下得到事件空间中系统的守恒律。并举例说明结果的应用。     

半线性抛物型方程初边值问题解的性态

1.引言对于半线性抛物型议程的初边值问题■解的性质有许多作者进行了讨论,设λ_0是-T(D(x)T)所对应的最小特征值,φ(x)为对应的特征函数,则λ_0>0,且可取φ(x)>0,x∈Ω它们是如下问题的解     

OU—型Markov过程的单点击中概率与Range

本文着重研究OU-型Markov过程的两个问题:第一,关于单点击中概率的问题,并在此基础上进一步确定OU型Markov过程局部时的存在性条件,这个问题的研究是受Kesten,H的影响,但本文中所用方法与[1]有本质的区别。第二,关于Range方面的问题,本文阐述了几类过程以概率1具有包含区间的Range。 关于OU型Markov过程,Tokuzo,Shiga研究了其常返性的判断准则,Sato,K研究了其平稳分布,Hadjiev,D,I,研究了其初遇问题,本文涉及的单点击中概率,局部时及Range尚没人研究过。     

带耗散的一阶非线性偏微分方程组的Cauchy问题

本文采用整体迭代法证明了带小初值的一阶非线性耗散偏微分方程组的Cauchy问题的整体经典解的存在性及指数衰减性质。     

软X射线位相型波带片的初步研究

简述了国内外软X射线波带片的发展及其最新研究成果。根据光波的矢量分析方法，数值模拟计算了入射波长为软X射线显微术中常用的2.3、3.2和4.5nm时，以不同材料制作的位相波带片其衍射效率随材料厚度的变化曲线，初步确定出适于制作位相波带片的几种材料。简要介绍了拟采取的制作软X射线位相波带片的方法。     

EXAFS研究负载型Ni／SiO2的区域结构

实验结果表明改进的实验室ＥＸＡＦＳ谱仪测试Ｎｉ箔的Ｋ吸收得到的ＥＸＡＦＳ谱与同步辐射上测量Ｎｉ箔得到的ＥＸＡＦＳ谱相近，利用实验室ＥＸＡＦＳ方法也可开展较好的结果测量研究，在ＳｉＯ２粉末载体上Ｎｉ负载量变化的ＥＸＡＦＳ结果表明，随着Ｎｉ负载量的降低，Ｎｉ的径向结构函数主配位峰的位置Ｒ＝０．２２０ｎｍ保持不变，但振幅强度逐渐降低。负载量从Ｎｉ箔到２．５％Ｎｉ／ＳｉＯ２，无序度因子σ由０．００６８ｎｍ