一个高密度连续射流团簇离子束源

根据在喷嘴出口附近电子枪来电离产生离子种子，在射流中形成连续，高密度的团簇离子束的设计思想，建造了连续的团簇离子束源，探索并优化了影响团簇离子束质量的因素，如电子枪的位置，滤束器的结构，滤束器与喷嘴间的距离等，初步研究了进气配对比氮氩团簇离子形成的影响，以氩气作为载体，适量的氮气，有助于Ａｒ－Ｎ＾＋２的形成。     

射频阱中C^＋n（n=3,4,5）同O2的化学反应

利用激光溅射的方法，在射频离子阱中产生并囚禁了Ｃｎ＾＋（ｎ＝３，４，５）进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，在其中开展了Ｃ＾＋ｎ同Ｏ２的化学反应研究，得到了反应物的速率常数和反应产物分支比，根据热化学计算，分析了反应进行的主要通道。     

二茂铁衍生物L—B膜修饰铂电极的电化学性能

本文研究了单取代硬脂酸二茂铁酯、双取代亚麻酸二茂铁酯、单二茂铁酸十八酯和双二茂铁酸十八酯四种二茂铁衍生物Ｌ－Ｂ膜修饰铂电极的循环伏安行为，用理论模型模拟了归一化峰面积，峰电位差随扫描速度变化的规律，以及分子相互作用能与半高宽的关系，将实验结果与理论模型的模拟结果进行比较，求得了Ｌ－Ｂ膜的层间电荷转移速度常数，Ｌ－Ｂ膜与电极之间的电荷转移速度常数，分子作用能及半峰电位等参数，并比较了四种二茂铁衍生物     

镍-酸性铬兰K络合物吸附波

用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理，发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8．67)，络合物在-316mV处有一吸附还原峰，其峰电流与镍浓度在0．001～0．010μ/mL范围内呈现良好的线性关系，其最低检出浓度为0．0005μg／mL。     

相对论密度泛函法对CN^—在铜和银电极上振动频率的研究

对ＣＮ＾－在铜和银电极上的吸附性质进行了相对论密度泛函簇模型计算。结果表明，电场微扰方法可以描述ＣＮ＾－在铜和银电极上吸附的表面现象，电极势诱导的频率移动被理解为Ｓｔａｒｋ效应所引起。内振动模式Ｍ－ＣＮ和Ｃ－Ｎ的耦合对电位诱导的Ｃ－Ｎ振动频率变化的大小起重要作用，计算所得的由Ｓｔａｒｋ效应所引起Ｃ－Ｎ振动频率变化的斜率和实验结果相符。     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

Mn^22＋电子碰撞激发截面和速率系数

采用Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｒｏｎ交换近似，在Ｚ标度类氢模型下计处了“水窗”波段Ｍｎ＾２２＋离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更有效地考虑碰撞过程中电子的关联和相对论效应，在计算中对有效核电荷的计算作了修改。