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41.
本文以炸药奥克托今(HMX)为例,开展了基于太赫兹光谱的固体粉末含水率检测方法的研究。首先,设计了适用于含水试样的预处理模具,避免预处理和测量过程中HMX粉末水分流失。其次,采用太赫兹时域光谱系统测量了HMX脱水过程的太赫兹光谱,获得了不同含水率HMX的太赫兹折射率和吸收系数。最后,研究了基于支持向量机回归(SVR)的含水率分析方法。提出了融合试样质量和太赫兹折射率的建模方法,解决了基于折射率或吸收系数的回归模型泛化性差的问题。在此基础上,采用遗传算法(GA)和粒子群算法(PSO)对SVR建模过程的正则化参数和核函数进行寻优。结果表明,基于PSO-SVR的模型最优,建模决定系数(R2)为0.996,均方根误差(RMSE)为0.009%,外部验证R2为0.991,RMSE为0.015%。 相似文献
42.
建立了工作场所空气中汞及其化合物的高锰酸钾-二氧化锰混合固体吸附管捕集、冷原子吸收测定方法。用高锰酸钾与二氧化锰按质量比1∶1混合后填装玻璃管制成固体吸附管捕集工作场所空气中汞,并以0.90 mol·L-1的硫酸溶液解吸后冷原子吸收光谱法测定,与高锰酸钾-硫酸吸收液法的采样效率、样品稳定性、穿透容量进行了比对。在0.000 2~0.015 0 mg·L-1的浓度范围内线性关系良好,相关系数为0.999 1,空气中汞在0.001~2.820 mg·m-3范围内,平均采样效率为99.9%~100.0%,300 mg吸附剂对汞的穿透容量大于505.4 μg,吸附管对汞的平均加标回收率为96.4%~103.8%,日内、日间精密度分别为3.0%~3.3%,3.5%~5.2%,最低检出浓度为0.001 3 mg·m-3(以采集7.5 L空气样品计)、0.000 6(以96 L空气样品计)。采集后的吸附管在室温下保存30 d,下降率小于0.1%。固体吸附管采样方法简单,适用于工作场所空气中汞及其化合物的短时间、时间加权平均浓度及个体暴露浓度的采样检测。 相似文献
43.
44.
高重复率电光调Q的高光束质量Nd:YVO4板条激光器 总被引:6,自引:0,他引:6
部分端面抽运混合腔板条激光器可以在紧凑的空间内实现大功率高光束质量的激光输出。利用这一技术并结合具有增益高、荧光寿命短等特点的Nd:YVO3晶体.配合新型高重复率的电光Q开关.易于实现高频窄脉冲高光束质量的激光输出。在德国Edge Wave GmbH进行了混合腔电光调Q激光器的合作研究中,实现了高重复率近衍射极限的输出;在以5kHz的高重复率运转时.获得了单脉冲能量7.2mJ,脉宽5.7ns,平均功率约36W的脉冲;当重复率高达50kHz时.输出的激光脉冲的参量是单脉冲能量1.6mJ.脉宽9.5ns,平均功率超过80W。实验所测的光束质量因子M^2小于2。 相似文献
45.
建立以二极管泵浦的Nd:YAG连续固体激光器为基础的微结构加工平台。激光器谐振腔输出基横模,输出波长1064nm,采用调Q技术压缩脉宽,激光器输出峰值功率大于10w,可选择连续及脉冲工作方式。 相似文献
46.
2(8-羟基喹啉)-2(苯酚)合锆薄膜的制备与性能研究 总被引:5,自引:2,他引:5
设计合成了一种新型的有机电致发光材料2(8-羟基喹啉)-2(苯酚)合锆(Zr(OPh)2q2),制备了Zr(OPh)2q2薄膜,并利用红外光谱、差热-热重谱、扫描电镜、X射线衍射谱、UV吸收谱和荧光光谱等方法研究了其晶态、热稳定性、能带结构以及光致发光机理。结果表明,Zr(OPh)2q2的熔点为381.2 ℃,分解温度为467.1 ℃,具有非常高的热稳定性,利用真空热蒸镀方法很容易在经过净化处理的玻璃基底上形成高质量、无定形纳米级薄膜,在390 nm紫外光的激发下,Zr(OPh)2q2薄膜产生发光峰为525 nm、半峰宽度为107.6 nm的强黄绿色荧光,其粉体产生强黄色荧光,是一种性能优良的电致发光材料。 相似文献
47.
编组站是靶场光路传输系统的重要组成部分,编组站镜架的稳定性对光路的传输有着直接的影响。为了分析微振动对光束指向性的影响,采用有限元分析软件建立镜架的有限元模型,将数字式地震仪测得的镜架安装平台的速度功率谱密度函数作为载荷施加到分析模型上,计算得到了编组站光学元件(A,B,C,D)在基座微振动激励作用下的转角漂移分别为0.338,0.327,0.289,0.241 mrad,均小于稳定性指标0.460 mrad的要求;采用加速度传感器对光学元件A的转角漂移测试结果为0.340 mrad,与分析结果的误差为0.6%,说明所采用的计算分析方法是有效的,为精密镜架的设计分析提供了有效的方法。 相似文献
48.
Scanning tunnelling microscopy is utilized to investigate the local bias voltage tunnelling dependent transformation between (2×1) and c(4×2) structures on Ge(001) surfaces, which is reversibly observed at room temperature and a critical bias voltage of -0.80 V. Similar transformation is also found on an epitaxial Ce islands but at a slightly different critical bias voltage of -1.00V. It is found that the interaction between the topmost atoms on the STM tip and the atoms of the dimers, and the pinning effect induced by Sb atoms, the nacancies or the epitaxial clusters, can drive the structural transformation at the critical bias voltage. 相似文献
49.
50.
本文使用格林函数方法,对具有准一维结构的线状固体在发生peierls相变和产生二聚化后的局域态的性质进行了研究,所得到的局域态的个数与能量和固体的晶体结构与电子结构有紧密关系。 相似文献