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本文分析了双会切静电堵漏串级磁镜MM-4U中粒子损失的可能机制,考虑了 等离子体粒子能量的切断,从平衡的Vlasov方程的解出发,数值求解了一组静态的达朗倍尔方程,即Poisson方程和Maxwell方程,得到了等离子体电位,密度及非中性度(净余电子数密度)分布。结果表明,堵漏电压及堵漏电极板的几何位形,磁场位形及磁场大小,电子温度电子-离子温度比在串级磁镜的束位形的形成中起着重要的作用。 相似文献
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大学物理实验中,位相差概念是从两正弦波振动合成引入的,测量位相差实验电路如图1(a)。测量时,将一正弦信号与其经RC电路移相后的信号分别加在示波器垂直偏转板与水平偏转板,则荧光屏上会显现出图1(b)所示的椭圆,这时,根据公 相似文献
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四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以四溴双酚A(TBA)合成了在水和空气中稳定的四溴双酚A合锑铝双金属化合物(TBASA).通过IR、1HNMR和元素分析予以表征,并研究了其对聚乙烯(PE)和聚环氧乙烷(PEO)的阻燃性能.结果表明,这种分子中含有溴、锑和铝的化合物,对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果. 相似文献
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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
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Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献