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51.
基于傅立叶变换轮廓术的物面相位提取   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用傅立叶变换轮廓术,针对基频提取的关键技术采用逐行傅立叶变换,准确提取基频信息的方法恢复相位信息.在此基础上,以未畸变条纹为基准,得出被测物体的真实位相值.该方法只需一幅条纹图,节约了测量时间.实验证明可实现无接触面型的自动传感.  相似文献   
52.
按照传统中医学理论可把水果分为四性,应用多种判别法对其进行统计分析,得到不同营养成分对水果四性的影响,初步探讨水果四性的生化参数及生化机理.  相似文献   
53.
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54.
合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ=532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10-30esu和10-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10-32esu和χ(3)=1.26×10-10esu.  相似文献   
55.
曹霞  何赛灵 《中国物理快报》2003,20(7):1081-1083
A Mach-Zehnder electro-optic modulator is designed and fabricated based on upper-clad GeO2-doped silica ridge waveguides with thermal poling.The electro-optic coefficient obtained is about 0.05pm/V and is polarizationinsensitive.An extinction ratio of over 17dB is achieved.The transmission loss of the modulator for the TE mode is 2-3dB higher than that for the TM mode after the poling.  相似文献   
56.
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底  相似文献   
57.
A new method for generation of a train of ultrashort pulses or a sequence of ultrashort light bullets is proposed. This method is based on the fourth-order dispersion-dependent spatiotemporal instability in dispersive Kerr media. The repetition-rate of the generated bullets can be made quite large by increasing the corresponding spatial modulation frequency locating in the new instability region resulted from fourth-order dispersion.  相似文献   
58.
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…  相似文献   
59.
60.
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