三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点，分析了微通道板的离子反馈形成机理，给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板的吸附气体，另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命，还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现，不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破，还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通电源的应用。     

�����װ�õĻԹ�ŵ�����

在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

一个新的四维混沌系统理论分析与电路实现

分析了一个新的复杂的四维混沌系统的基本特性，该系统每个方程中包含一个三次交叉乘积项，共有9个平衡点，它们相对于原点和坐标轴具有完美的对称性，并且相对于线性特性和不变流形具有很好的相似性.描述了两个同时共存的对称双翼吸引子.最后，设计了一个模拟电路来实现这个新的四维混沌系统，表明数值仿真和电路实现具有很好的一致性，同时说明在应用上由于频率不同导致的仿真与物理实现之间的重要区别. 关键词： 四维混沌系统 Lyapunov 指数 共存双翼吸引子 电路实现     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

关于广义四元数代数上矩阵的迹的一个等式

众所周知,相似矩阵的迹相等对于非交换代数和环上的矩阵不一定成立,有趣的问题是给定一个条件使得相似矩阵的迹相等对于非交换代数或非交换环上的矩阵成立。本文对于特征不是2的任意域F上定义的广义四元数代数上的两个矩阵A和B,给出如果A和B相似并且它们的主对角线上的元素在F中,那么它们的迹相等。     

偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究

用皮秒Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的倍频光（５３２ｎｍ）对具有离域π－共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给，测得三阶非线性电极化率ｘ＾（３）和它们的时间响应分别为１０＾－９ｅｓｕ和２０ｐｓ，并对影响ｘ＾（３）的瞬时光栅作用和ｘ＾（３）的响应时间人了讨论。     

双齿配体—1,2—C_6H_4SX(X=O,S)的钴化合物~1H NMR研究

以~1H NMR谱学和磁化率对一些含邻苯二硫酚或巯基苯酚配体的钴化合物的磁性作了研究,并讨论了它们的电子结构。     

电沉积n—CdSe在多硫溶液界面上的电荷转移机理

通过测定平带电位,澄清了OH~-离子在CdSe电极上的吸附情况,发现在S、S~(2-)、OH~-溶液中S~(2-)离子优先吸附,结合旋转环盘电极测量,证明n-CdSe电极在多硫溶液界面上的电荷转移过程。     

(NH4)2MoS4在活性炭上浸渍过程的研究:Ⅱ.干燥机理及模型

（ＮＨ＿４）＿２ＭｏＳ＿４在活性炭上浸渍过程的研究Ⅱ．干燥机理及模型秦慧芳，张成芳，陆岗，俞丰，朱子彬（华东理工大学无机化工研究所，上海２００２３７）２３７）关键词硫代钼酸铵，活性炭，干燥，钼分布，干燥模型负载型催化剂的活性组分在载体上的分布，受浸渍...