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与传统网格法相比, 光滑粒子流体动力学方法不能直接施加壁面边界条件, 这就限制了该方法在工程中的应用.为此, 本文基于Galerkin加权余量法并结合传统排斥力方法, 推导出一种新的排斥力公式来施加壁面边界条件.该方法不含未知参数, 能在不减小边界粒子尺寸的情形下有效地防止流体粒子穿透壁面, 同时可避免邻近边界的流体粒子的速度及压力振荡. 分别通过静止液柱算例、液柱坍塌算例、容器中液体静止算例及溃坝算 例来验证本文方法的有效性, 并与传统边界处理方法进行对比, 结果表明: 本文方法克服了传统方法存在的缺陷, 是一种有效的固壁边界处理方法.
关键词:
光滑粒子流体动力学法
固壁边界
排斥力
加权余量法 相似文献
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基于变形单壁碳纳米管能量色散关系,计算了碳纳米管最低导带的电子速度及有效质量随形变系数变化的各种曲线,以此推测碳纳米管输运性质的稳定性问题.计算结果表明:对于特定类型的碳纳米管,只当其形变发生在某特定方向、且处于低形变(形变系数ε≤002 )区时,电子平均速度vmean及平均有效质量m*mean随形变改变才会很小(相对改变量≤2%),这意味着此时的碳纳米管低偏压电子输运性能是基本稳定的.而其他形变情形,电子平均速度vmean或电子平均有效质量m*mean或两者随形变变化明显,甚至有跃变,这意味着其低偏压电子输运性能是不稳定的,甚至极不稳定.
关键词:
变形单壁碳纳米管
电子速度
电子有效质量
输运性能稳定性 相似文献
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利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.
关键词:
4H-SiC
同质外延生长
水平热壁CVD
均匀性 相似文献
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In Situ Tests of Multiwalled Carbon Nanotubes with Strength Close to Theoretical Predictions
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Using MEMS technology and transmission electron microscopy we show experimentally multiwalled carbon nanotubes with a mean fracture strength of larger than 100 GPa, which exceeds the earlier observations by a factor of approximately 3. These results are in excellent agreement with quantum-mechanical estimations. This performance is made possible by omitting chemical treatments from the sample preparation process, thus avoiding the formation of defects. High-resolution imaging is used to directly determine the number of fractured shells and the ehirality of the outer shell. Electron irradiation at 200keV for 10, 100 and 1800s lead to improvements of the maximum sustainable loads by factors of 2.4, 7.9 and 11.6 compared with non-irradiated samples of similar diameter. This effect is attributed to crosslinking between the shells. This procedure is a cost effective way of customizing the properties of multiwall nanotubes for many applications of interest ranging from nanocomposites to nanodevices. 相似文献
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文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态. 相似文献