首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   421篇
  免费   47篇
  国内免费   479篇
化学   850篇
晶体学   1篇
力学   1篇
综合类   12篇
物理学   83篇
  2024年   2篇
  2023年   12篇
  2022年   10篇
  2021年   14篇
  2020年   18篇
  2019年   25篇
  2018年   21篇
  2017年   33篇
  2016年   31篇
  2015年   32篇
  2014年   47篇
  2013年   56篇
  2012年   52篇
  2011年   42篇
  2010年   46篇
  2009年   55篇
  2008年   56篇
  2007年   57篇
  2006年   41篇
  2005年   39篇
  2004年   43篇
  2003年   26篇
  2002年   29篇
  2001年   23篇
  2000年   15篇
  1999年   12篇
  1998年   10篇
  1997年   12篇
  1996年   9篇
  1995年   13篇
  1994年   6篇
  1993年   13篇
  1992年   9篇
  1991年   12篇
  1990年   5篇
  1989年   2篇
  1988年   6篇
  1987年   5篇
  1986年   4篇
  1985年   2篇
  1983年   2篇
排序方式: 共有947条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
本文研究了在Pd(PPh3)2Cl2(1)催化下的三正丁基-2-呋喃基锡(6a), 三正丁基-2-噻吩基锡(6a), 三正丁基-2-(N-甲基)吡咯基锡(6c)和菊酰氯(5), 肉桂酰氯(7)的交联反应。发现除了三正丁基-2-(N-甲基)吡咯与5的不寻常反应得到2, 5-二取代的吡咯衍生物外, 其余反应皆以70~87%的产率得到交叉偶联产物。本文同时还报道了钯催化下有机锡试剂与取代卤代芳烃反应, 高收率地得到了不对称的杂环基芳烃和双杂环化合物。在合成的交联产物中, 化合物2, 8, 9, 15, 16与17均为新化合物。  相似文献   
52.
基于9,9-二辛基芴(DOF)与窄带隙单体2,3-二甲基-5,8-二噻吩-喹喔啉(DDQ),通过Suzuki偶合反应,合成了一系列无规和交替窄带隙的芴基共聚物(PFO-DDQ),并对它们的紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、电致发光性能和光伏性能进行了初步研究.共聚物在380 nm和490 nm处有两处明显的吸收峰,其中490nm处的吸收强度随着共聚物中窄带隙单元(DDQ)含量的增加而成比例加强.随着共聚物中窄带隙单元(DDQ)含量的增加,电致发光峰值从580 nm红移到了635 nm.基于该类材料的橙红或饱和红色发光二极管最大外量子效率为1.33%,流明效率为1.54 Cd/A.试验中观察到了窄带隙单元的能量陷阱机制.以窄带隙单元含量为30%的聚合物(PFO-DDQ30)为电子给体、PCBM为电子受体所制备的共混体相异质结太阳电池最大能量转换效率为1.18%,开路电压0.9 V,短路电流密度2.66 mA/cm2.光敏曲线覆盖300 nm~700 nm.  相似文献   
53.
通过Stille反应合成了3',4'-亚乙基二氧-2,2':5',2"-三噻吩(TET),并以其作为单体,采用化学氧化原位聚合方法在碳纳米管(CNT)的表面包覆新型聚(3',4'-亚乙基二氧.2,2':5',2"-三噻吩)(FTET),制备了PTET-CNT纳米复合材料.通过TEM、SEM和IR对其进行了表征,并利用循环伏安、交流阻抗、恒电流充放电等电化学测试方法,比较研究了复合材料以及碳纳米管在0.1 mol/L四乙基四氟硼酸铵(Et_4NPF_4)的乙腈溶液中的电化学行为.实验结果表明,在电流密度为3 mA/cm~2时,PTET-CNT复合材料的比电容为86 F/g,比原碳纳米管比电容20 F/g提高了3.3倍.基于这种复合材料的电容器的能量密度达到2.02 Wh/kg.  相似文献   
54.
首先通过电聚合方法在玻碳电极表面制备了聚(3-甲基噻吩)(P3MT)修饰膜,然后在一定电位下将DNA分子电沉积到P3MT表面,制备了DNA/(P3MT)复合膜修饰玻碳电极.研究了8-羟基-2’-脱氧鸟嘌呤核苷(8-OH-dG)在该复合膜修饰电极上的伏安行为以及扫描速度、pH值和尿酸对其伏安行为和检测的影响.实验结果表明,该复合膜修饰电极结合了P3MT和DNA两者的优点,使8-OH-dG在复合膜修饰电极上的电化学行为明显改善,而且具有很好的重现性和稳定性.在0.1mol/LpH7.0的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,8-OH-dG的氧化峰电流与其浓度在0.28~4.2μmol/L和4.2~19.6μmol/L两个范围内成良好的线性关系,检出限为56nmol/L(S/N=3).该研究可以为制备HPLC或毛细管电泳电化学检测器检测8-OH—dG打下一定的基础,因此在检测尿样中8-OH-dG的研究方面具有潜在的应用价值.  相似文献   
55.
 以溶胶-凝胶法制备的 TiO2-Al2O3 复合氧化物为载体, 采用浸渍法制备了 Ni2P/TiO2-Al2O3 催化剂, 并用 X 射线衍射、N2 吸附脱附、红外和 X 射线光电子能谱等技术对催化剂进行了表征, 考察了载体中 TiO2 含量、焙烧温度及其制备方法对 Ni2P/TiO2-Al2O3 催化剂上同时进行噻吩加氢脱硫和吡啶加氢脱氮反应的影响. 结果表明, 以 Ni/P 摩尔比为 1/2 的前驱体制备的催化剂表面仅出现 Ni2P 物相; 当载体中 TiO2 的含量为 80%, 焙烧温度为 550 oC 时, Ni2P/TiO2-Al2O3 催化剂上加氢脱硫和加氢脱氮的活性最高. 在 360 oC, 3.0 MPa, 氢/油体积比 500, 液时体积空速 2.0 h?1 的条件下, 噻吩和吡啶转化率分别为 61.3%和 64.4%.  相似文献   
56.
本文采用原位聚合法, 以耐酸性好的涤纶为基底, 制得了聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/涤纶复合导电织物[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/conducting terylene textile, PEDOT/CTT], 分析了该导电织物的形貌、导电性能及结构, 并对其电致变色性能进行了初步测试. 实验结果表明, 所得到的PEDOT/CTT具有良好的导电性和一定的电致变色性能, 有望在全固态电致变色织物的制备中获得应用.  相似文献   
57.
有机噻吩类衍生物作为电致变色材料*   总被引:1,自引:0,他引:1  
腊明  刘平  邓文基 《化学进展》2009,21(6):1268-1274
噻吩类衍生物包括聚噻吩衍生物和齐聚噻吩衍生物。本文从有目的地设计、合成噻吩类衍生物的角度出发,探索了其作为电致变色材料的应用,综述了噻吩类衍生物作为电致变色材料的最新研究进展。  相似文献   
58.
铈的α-噻吩甲酰三氟丙酮-哌啶配合物与DNA的键合研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
合成了α-噻吩甲酰三氟丙酮-哌啶合铈(CeTTA4·HP)配合物,测定其晶体结构,并用紫外光谱、荧光光谱、热变形、电化学、粘度和理论模拟研究了配合物与DNA的键合特性。结果表明:化合物与DNA以插入模式进行作用。  相似文献   
59.
采用界面聚合法制备聚3,4-乙撑二氧噻吩/二氧化锰(PEDOT/MnO2)纳米复合物. 通过红外(IR)光谱、X射线衍射(XRD)、BET比表面积、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行表征. 结果表明, 产物是具有丰富的多孔孔道结构的无定型纳米材料, 孔径主要分布在5-25 nm范围内, 比表面积可达98 m2·g-1. 同时用循环伏安(CV)、恒流充放电和交流阻抗(EIS)等电化学测试表明, 在0.5 mol·L-1 Na2SO4溶液中, -0.2 - 0.8 V(vs SCE)的电化学窗口下, PEDOT/MnO2纳米复合物显示出良好的电化学性能, 当电流密度为0.5 A·g-1时, 所制备的PEDOT/MnO2单电极比容量达196.3 F·g-1, 500次循环后样品放电比容量保持90%左右.  相似文献   
60.
《化学学报》2012,70(6)
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP水平上研究了4,7-(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在PdCl2(PPh3)2催化下的合成机理.优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物,通过能量分析结果证实了中间体和过渡态的真实.在同样的方法和精度研究了4,7.二(2.噻吩基)苯并噻二唑.3.辛基噻吩二炔在没有催化剂下的合成机理.通过计算结果得到此反应在有PdCl2(PPh3)2催化情况下的活化能小于没有催化剂情况下的活化能,从而证明了PdCl2(PPh3)2催化剂的催化活性.采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,研究了产物P在Ti02(100)表面的吸附,通过Mulliken charge和前线轨道分析表明:当P吸附在Ti02(100)表面时,P向Ti02(100)表面转移0.692e电荷,前线轨道能隙变窄.理论预测的结果与实验值吻合.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号